4-Zoll C-Ebene SSP Saphir Substrat Al₂O₃ für LED- und optische Anwendungen

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November 20, 2025
Kategorieverbindung: Saphir-Oblate
Memorandum: Sehen Sie sich diese Übersicht an, um zu erfahren, warum viele Fachleute dieser Methode Aufmerksamkeit schenken. Dieses Video zeigt das 4-Zoll-C-Ebene-SSP-Saphirsubstrat Al₂O₃ und hebt seine hochreine monokristalline Struktur, außergewöhnliche mechanische Festigkeit und thermische Stabilität hervor. Erfahren Sie, wie es sich ideal für das Epitaxiewachstum in LED-, Laserdioden- und optischen Anwendungen eignet.
Zugehörige Produktmerkmale:
  • Hochreines Einkristall-Saphir (Al₂O₃) mit C-Ebenen-Orientierung (0001) und enger ±0,3°-Toleranz.
  • Einseitig polierte (SSP) Oberfläche mit Ra < 0,2 nm auf der Vorderseite für überragende Glätte.
  • Hervorragende Ebenheit und geringer Durchhang (<15 µm), was eine hohe Präzision in Anwendungen gewährleistet.
  • Hohe thermische und chemische Stabilität, geeignet für raue Umgebungen.
  • Anpassbare Achse, Durchmesser und Dicke, um spezifische Kundenanforderungen zu erfüllen.
  • Optische Transparenz im Bereich von 190 nm bis 5500 nm, ideal für vielfältige optische Anwendungen.
  • Mohs-Härte von 9, bietet außergewöhnliche Kratzfestigkeit und Haltbarkeit.
  • Weit verbreitet in GaN-LED-Substraten, Laserdioden-Substraten und hochpräziser Optoelektronik.
FAQ:
  • Was ist der Unterschied zwischen SSP- und DSP-Saphirwafern?
    SSP ist einseitig poliert und eignet sich für Epitaxie auf der polierten Seite; DSP ist beidseitig poliert und bietet ultraflache Oberflächen auf beiden Seiten für High-End-Optikanwendungen.
  • Kann der Wafer angepasst werden?
    Ja, wir akzeptieren kundenspezifische Durchmesser, Dicken und Achsenorientierungen gemäß den Spezifikationen des Kunden.
  • Was sind gängige Anwendungen für 4-Zoll-C-Ebenen-Saphirwafer?
    Sie werden häufig für GaN-LED-Substrate, Laserdioden-Substrate, IR-Fenster, SOS-Bauelemente und andere hochpräzise optoelektronische oder Halbleiteranwendungen verwendet.