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Wafer-Verdünnungsanlagen

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April 15, 2025
Kategorieverbindung: Halbleiter-Ausrüstung
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Diese Ausrüstung ermöglicht das präzise Ausdünnen von 4"-12" zerbrechlichen Halbleitermaterialien einschließlich Silizium (Si), Siliziumcarbid (SiC), Galliumarsenid (GaAs) und Saphirsubstraten,mit einer Dickenregelungsgenauigkeit von ±1 μm und einer Gesamtdickenvariation (TTV) von ≤2 μm, um die strengen Anforderungen der Fertigung fortgeschrittener Verpackungen und Leistungseinrichtungen zu erfüllen.
Umbauten:
#4 Zoll SiC Ingot wachsenden Ofen #8 Zoll SiC Ingot wachsenden Ofen #6 Zoll SiC Ingot wachsenden Ofen
Memorandum: Entdecken Sie das Wafer-Verdünnungs-System Präzisions-Verdünnungs-Ausrüstung, kompatibel mit 4-12 Zoll SiC, Si, GaAs und Saphir-Wafer.Erreichung einer Dickenkontrolle von ±1 μm und einer TTV von ≤2 μm für die Herstellung fortgeschrittener Verpackungen und Leistungseinrichtungen- Optimiert für breitband-Halbleiter wie SiC.
Zugehörige Produktmerkmale:
  • Präzisionsverdünnung für 4-12 Zoll spröde Halbleitermaterialien einschließlich Si, SiC, GaAs und Saphir.
  • Erreicht eine Dicke-Kontrollgenauigkeit von ±1 μm und TTV ≤2 μm.
  • Optimierte Schleifparameter und Polierverfahren für verschiedene Materialeigenschaften.
  • Integrierte automatisierte Echtzeitdickenüberwachung für eine stabile Leistung.
  • Anpassbare Vakuumspannlösungen für unregelmäßige Produkte.
  • Hochpräzises In-Feed-Spindel-Schleifen mit überlegener Bearbeitungsgenauigkeit.
  • Benutzerfreundliche Bedienung mit ergonomischer HMI und präziser Z-Achsen-Steuerung.
  • Unterstützt Vollautomatik- und Halbautomatik-Betriebsarten mit Echtzeit-Dickenmessung.
FAQ:
  • Unterstützt die Waferverdünnungsanlage die Anpassung?
    Ja, wir bieten vollständig kundenspezifische Lösungen an, einschließlich Spezialspannfuttern für unregelmäßige Wafer und maßgeschneiderter Rezepturentwicklung.
  • Welche Dickenkontrolle können Waferverdünnungsmaschinen erreichen?
    Premiummodelle erzielen ±0,5 μm Dicke Einheitlichkeit mit TTV≤1 μm (Laser-Interferometrie Dicke Überwachungssystem).
  • Welche Materialien sind mit dem Wafer-Verdünnungs-System kompatibel?
    Das System ist mit spröden Halbleitermaterialien von 4-12 Zoll kompatibel, einschließlich Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumarsenid (GaAs) und Saphirsubstraten.
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