Waferverbindungsanlage Raumtemperatur

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Waferverbindungsanlage Raumtemperatur

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April 15, 2025

Kategorieverbindung: Halbleiter-Ausrüstung

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Dieses System ist eine High-End-Bindungsausrüstung, die speziell für die Herstellung von Siliziumkarbid (SiC) -Stromgeräten entwickelt wurde und 2 bis 12-Zoll-Wafer-Spezifikationen unterstützt.Das System beinhaltet fortschrittliche Technologien für die direkte Bindung bei Raumtemperatur und die oberflächenaktivierte Bindung, mit spezieller Optimierung für heterogene SiC-SiC- und SiC-Si-Bindungsverfahren.

Umbauten:

#4 Zoll SiC Ingot wachsenden Ofen #8 Zoll SiC Ingot wachsenden Ofen #6 Zoll SiC Ingot wachsenden Ofen

Memorandum: Entdecken Sie die fortschrittliche Wafer-Bonding-Ausrüstung, die für Raumtemperatur- und hydrophile Bindung von Si-SiC- und Si-Si-Wafern von 2 bis 12 Zoll konzipiert wurde. Dieses High-End-System verfügt über ultrapräzise optische Ausrichtung, geschlossene Temperatur-/Druckregelung und unterstützt verschiedene Bonding-Prozesse für die Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen.

Zugehörige Produktmerkmale:

Unterstützt die direkte Bindung und die plasmaaktivierte Bindung für 2 bis 12 Zoll Wafer.
Ultrapräzise optische Ausrichtung mit ≤±0,5 μm Genauigkeit.
Präzisionsverstellbare Druckregelung im Bereich von 0-10 MPa.
Temperaturbereich von RT-500°C mit optionalem Vorheiz-/Glühmodul.
Ultrahohe Vakuumumgebung (≤5×10−6 Torr) für kontaminationsfreie Bindungen.
Industrietaugliches Touch-HMI mit ≥50 gespeicherten Prozessrezepten.
Dreifacher Verriegelungsschutz für Sicherheit (Druck/Temperatur/Vakuum).
Optionale Roboter-Wafer-Handhabung und Unterstützung des SECS/GEM-Kommunikationsprotokolls.

FAQ:

Welche Vorteile hat die Waferbindung bei Raumtemperatur im Vergleich zur thermischen Bindung?

Raumtemperaturverbindungen verhindert thermische Belastungen und Materialverschlechterung und ermöglicht die direkte Verbindung unterschiedlicher Materialien (z. B. SiC-LiNbO₃) ohne Hochtemperaturbeschränkungen.
Welche Materialien können mit der Raumtemperatur-Wafer-Bonding-Technologie verbunden werden?

Es unterstützt die Bindung von Halbleitern (Si, SiC, GaN), Oxiden (LiNbO3, SiO2) und Metallen (Cu, Au), ideal für MEMS, 3D-ICs und optoelektronische Integration.
Für welche Anwendungen ist die Waferbindungsanlage geeignet?

Es ist ideal für die MEMS-Geräteverpackung, CIS-Bildsensoren, 3D-IC-Integration, Halbleiterbauelemente und die Biochip-Herstellung.