Entdecken Sie die fortschrittliche Wafer-Bonding-Ausrüstung, die für Raumtemperatur- und hydrophile Bindung von Si-SiC- und Si-Si-Wafern von 2 bis 12 Zoll konzipiert wurde. Dieses High-End-System verfügt über ultrapräzise optische Ausrichtung, geschlossene Temperatur-/Druckregelung und unterstützt verschiedene Bonding-Prozesse für die Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen.