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Mikrofluidische Laserausrüstung für die Verarbeitung von Halbleiterwafern

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April 02, 2025
Kategorieverbindung: Halbleiter-Ausrüstung
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Umbauten:
#4 Zoll SiC Ingot wachsenden Ofen #8 Zoll SiC Ingot wachsenden Ofen #6 Zoll SiC Ingot wachsenden Ofen
Memorandum: Entdecken Sie die fortschrittliche Mikrofluidische Laserausrüstung für Halbleiter-Waferverarbeitung, die Wasserstrahlpräzision mit Lasertechnologie für hohe Genauigkeit kombiniert.Schnitt- und Bohrverfahren mit geringer thermischer Schädigung in der Halbleiterherstellung.
Zugehörige Produktmerkmale:
  • Diodengepumpter Festkörper-Nd:YAG-Laser mit einer Pulsbreite in us/ns und Wellenlängen von 1064 nm, 532 nm oder 355 nm.
  • Niederdruck-Reinwasserstrahlsystem mit Reinheitsgrad, gefiltert, mit einem Verbrauch von nur 1 Liter/Stunde bei 300 bar Druck.
  • Düsengrößenbereich 30-150 um, hergestellt aus Saphir oder Diamant für präzise Laserführung.
  • Hochdruckpumpen und Wasseraufbereitungssysteme für optimale Leistung enthalten.
  • Lineare motorgetriebene XY- und Z-Achsen mit Positionierungsgenauigkeit von +/-5 μm.
  • Oberflächenrauheit Ra≤1,6µm bei einer Öffnungsgeschwindigkeit ≥1,25mm/s und einer linearen Schnittgeschwindigkeit ≥50mm/s.
  • Geeignet für Galliumnitrid, Ultrabreitband-Gap-Halbleitermaterialien und Raumfahrtspezialmaterialien.
  • Anwendungen umfassen das Schneiden von Wafern, das Bohren von Chips, Advanced Packaging und die Reparatur von Defekten.
FAQ:
  • Wofür wird die Mikrojet-Lasertechnologie verwendet?
    Die Microjet-Lasertechnologie wird für hochpräzises, thermisch schonendes Schneiden, Bohren und Strukturieren in Halbleitern und Advanced Packaging eingesetzt.
  • Wie verbessert der Mikrojet-Laser die Halbleiterherstellung?
    Es ermöglicht Submikron-Genauigkeit mit nahezu null Hitzeschäden, ersetzt mechanische Klingen und reduziert Defekte in spröden Materialien wie GaN und SiC.
  • Welche Materialien können mit dieser Ausrüstung verarbeitet werden?
    Die Ausrüstung verarbeitet Materialien wie Silizium, Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Diamant, Galliumoxid, LTCC-Kohlenstoffkeramik-Substrat und Scintillator-Kristalle.
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