Silikonkarbid (SiC) Substrat 6 Zoll 8 Zoll Laserschnitt Für die epitaxielle Vorbereitung

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May 28, 2024
Stichwort: Sic Substrat
Videobeschreibung:
Entdecken Sie das fortschrittliche Silicon Carbide (SiC) Substrat in 6 Zoll und 8 Zoll Größen, für das Laserschneiden und die epitaxielle Vorbereitung konzipiert.Verringerung der KostenZu den individuell anpassbaren Optionen gehören dicke Epilationsschichten, maßgeschneiderte Doppelung und komplexe Strukturen für eine optimale Funktionalität.