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Created with Pixso. SiC-keramischer End-Effektor für die Waferbehandlung - korrosions- und hitzebeständig für die Halbleiterverarbeitung

SiC-keramischer End-Effektor für die Waferbehandlung - korrosions- und hitzebeständig für die Halbleiterverarbeitung

Markenbezeichnung: ZMSH
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Herkunftsort:
Shanghai, China
Material:
Hochreines SiC (≥99 %)
Größe:
Anpassbar (für 4 ′′ 12 " Wafer)
Oberflächenbeschaffenheit:
Poliertes oder mattes Finish je nach Bedarf
Wärmewiderstand:
Bis zu 1600 ° C.
Chemische Beständigkeit:
Beständig gegen Säuren, Basen und Plasma
Mechanische Stärke:
Beugfestigkeit > 400 MPa
Dichte:
D=3,21 g/cm³
Widerstand:
0,1–60 Ohm·cm
Reinraumqualität:
Geeignet für Klasse 1–100
Produkt-Beschreibung

SiC-keramischer End-Effektor für die Waferbehandlung - korrosions- und hitzebeständig für die Halbleiterverarbeitung


Produktübersicht:


UnsereHochreine SiC-Keramik-End-Effektorist für den präzisen und zuverlässigen Umgang mit Wafern in Halbleiterherstellungsprozessen aus Siliziumkarbid (SiC)Dieser End-Effektor ist so konzipiert, dass er den extremen Bedingungen standhält, die bei der Halbleiterverarbeitung üblich sindDer SiC-End-Effektor gewährleistet durch seine außergewöhnliche thermische und chemische Beständigkeit eine höhere Leistungsfähigkeit, Sicherheit,und Langlebigkeit beim Umgang mit empfindlichen Halbleiterwafern.


Dieser Endeffektor ist für verschiedene kritische Operationen, einschließlich Wafertransport, Ätzen, Ablagerung und Prüfung, unerlässlich.und geringe Partikelproduktion, die für die Aufrechterhaltung der Integrität der Halbleitervorrichtungen während der Produktion von entscheidender Bedeutung sind.


SiC-keramischer End-Effektor für die Waferbehandlung - korrosions- und hitzebeständig für die Halbleiterverarbeitung 0SiC-keramischer End-Effektor für die Waferbehandlung - korrosions- und hitzebeständig für die Halbleiterverarbeitung 1


Hauptmerkmale:


  • Material:hochreines Siliziumkarbid (SiC) mit einer Reinheit von ≥ 99%


  • Wärmewiderstand:Widerstandsfähig bei Temperaturen bis zu1600°C(2900°F)


  • Chemische Resistenz:Ausgezeichnete Beständigkeit gegen Säuren, Basen und Plasmaumgebungen


  • Mechanische Festigkeit:Beugfestigkeit > 400 MPa, mit hoher Steifigkeit und Langlebigkeit


  • Niedrige Partikelproduktion:Gewährleistet die Kompatibilität von Reinräumen und verringert das Risiko einer Kontamination


  • Anpassbare Größen:Erhältlich für 4", 6", 8", 12" Wafer-Handling, mit Optionen für kundenspezifische Designs und Slots für Roboterarm-Kompatibilität


  • Oberflächenbearbeitung:Erhältlich in polierter oder matter Oberfläche je nach Benutzeranforderungen


  • Reinraumbereich:Geeignet für den Einsatz in Reinräumen der Klasse 1­100, um eine optimale Sauberkeit in Halbleiterverarbeitungsumgebungen sicherzustellen


Anwendungen:


  • Waferbehandlung: Sichere und präzise Handhabung von Halbleiterwafern in verschiedenen Fertigungsstufen


  • Halbleiterverarbeitung: Ideal für Umgebungen mit hoher Temperatur und chemisch intensiver Nutzung wie Ätzen, Ablagerungen und Prüfungen


  • Roboterarm-Kompatibilität: Konzipiert für eine einfache Integration mit Roboterarmen, die beim Transport und der Manipulation von Wafern verwendet werden


  • Paketprüfung und Chip-Sortierung: Bietet eine zuverlässige Leistung bei Wafer-Sortierung und -Prüfung


Spezifikationen des Produkts:


Parameter Spezifikation
Material SiC mit hoher Reinheit (≥ 99%)
Größe Anpassungsfähig (für 4 ′′ 12 " Wafer)
Oberflächenbearbeitung Nach Bedarf polierte oder matte Oberfläche
Wärmewiderstand Bis zu 1600 °C
Chemische Resistenz Wird nicht durch Säuren, Basen und Plasma belastet
Mechanische Festigkeit Beugfestigkeit > 400 MPa
Dichte D=3,21 g/cm3
Widerstand 00,60 ohm·cm
Reinraum-Klasse geeignet für die Klasse 1?? 100


Häufige Fragen -SiC-keramischer Endeffektor für die Waferbehandlung


1.Welches Material wird für den SiC-Keramik-End-Effektor verwendet?

  • Der SiC-Keramik-End-Effektor besteht ausmit einem Durchmesser von mehr als 20 mm,, mit einer Reinheit von≥99%Dieses Material bietet eine hervorragende Wärmebeständigkeit, mechanische Festigkeit und chemische Stabilität und ist somit ideal für harte Umgebungen der Halbleiterverarbeitung.


2.Für welche Anwendungen eignet sich der SiC Ceramic End Effector?

  • Der SiC-Keramik-End-Effektor ist ideal fürWaferbearbeitung,Halbleiterverarbeitung(Etischungen, Ablagerungen, Prüfungen) undIntegration des Roboterarms. Es wird auch inVerpackungstestsundSortierung von Chips.


3.Ist der SiC-Keramik-End-Effektor kompatibel mit Reinraum-Umgebungen?

  • Ja, der SiC Ceramic End Effector ist für den Einsatz inReinräume der Klasse 1­100, so dass die Kompatibilität mit ultra-sauberen Halbleiterherstellungsumgebungen gewährleistet ist.


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