Precision Sapphire Lift Pins Einkristall Al2O3 Verschleißbeständig für hochgenaue Waferpositionierung
Saphirheber sind präzise mechanische Bauteile, hergestellt aus hochreinem Einkristallsafir, konstruiert für eine hochpräzise Positionierung, hohe Temperaturbeständigkeit,und verschleißintensive Anwendungen . ZMSH bietet Dienstleistungen zur Anpassung vollständiger Parameter (einschließlich Durchmesser, Länge, Oberflächenrauheit und Optimierung der kristallographischen Ausrichtung),Unterstützung der schnellen Lieferung kleiner Chargen zur Erfüllung der äußersten Leistungsanforderungen an Halbleiter, medizinischen, Luftfahrt- und Industriezweigen.
Wesentliche Merkmale
1. Ultraschwere mechanische Festigkeit: Mit einer Druckfestigkeit von mehr als 300 000 psi können diese Pins Hochfrequenz-Laufbelastungen (z.B.12-Zoll-Wafer-Handhabungssysteme in der Halbleiterherstellung).
2. Hochtemperaturstabilität: Betriebsdauer bei 1.500°C und kurzzeitige Exposition bei bis zu 2.050°C (ideal für das Laserschweißen oder die Verbrennungskammerposition).
3. Niedriger Reibungskoeffizient: Reibungskoeffizienten nach dem Polieren < 0,15 minimieren den Energieverlust bei präzisen Bewegungen (z. B. bei Lithographie-Stufenanpassungen).
4. Chemische Trägheit: Widerstandsfähig gegen starke Säuren, Alkalien und organische Lösungsmittel, geeignet für Reinräume und Halbleiter-Ätzerumgebungen.
Technische Parameter
| Chemische Zusammensetzung |
Monokristalline Al2O3 |
| Härte |
9 Mohs |
| Optische Natur |
Uniaxial |
| Brechungsindex |
1.762-1.770 |
| Zuwiderhandlung |
0.008-0. Ich weiß.010 |
| Dispersion |
Niedrig, 0.018 |
| Glanz |
Glaskörper |
| Pleochroismus |
Mäßig bis stark |
| Durchmesser |
0.4mm-30mm |
| Durchmesser Toleranz |
0.004mm-0.05mm |
| Länge |
2 mm bis 150 mm |
| Längentoleranz |
00,03 mm bis 0,25 mm |
| Oberflächenqualität |
40/20 |
| Oberflächenrundheit |
RZ0.05 |
| Benutzerdefinierte Form |
beide Enden flach, ein Endradius, beide Endradius,
Sattelspitzen und spezielle Formen |
Hauptanwendungen
(1) Halbleiterherstellung- Ich weiß.
- Ich weiß.· Wafer-Handling-Systeme: Erreichung einer Positionierungsgenauigkeit von ± 1 μm in 12-Zoll-Waferfabriken, 200 Zyklen/Stunde.
- Ich weiß.· Fotolithographie Stufenkalibrierung: Kompensieren für die thermische Ausdehnung von Siliziumwaffen (Thermischer Ausdehnungskoeffizient: 5,3×10−7/°C) durch Anpassungen im Nanometermaßstab.
- Ich weiß.(2) Medizinische Geräte- Ich weiß.
- Ich weiß.· Chirurgische Roboterkatheter : Ultradünnwandige Röhren (< 50 μm) ermöglichen minimal-invasive Gefäßinterventionen ohne Gewebeschäden.
- Ich weiß.· Kalibrierung der Strahlentherapieausrüstung : In Protonentherapiesystemen die Strahlungsbrennpunkte mit einer Genauigkeit von ±0,01 mm einstellen.
- Ich weiß.(3) Luftfahrt und Verteidigung- Ich weiß.
- Ich weiß.· Raketenvektorsteuerung : eingesetzt in Haltungsanpassungsmechanismen, mit einem Wärmezyklus von -196°C bis 1.200°C.
· Satellitenoptische Systeme : Schutz von äußeren Nutzlasten während von Weltraummissionen, bei Bewahrung der Funktionalität unter Vakuum und Strahlung.
- Ich weiß.(4) Industrie und Forschung- Ich weiß.
- Ich weiß.· Elektronenmikroskopiephasen: Aktivieren von ±5 nm Positionierung in 10−10 mbar Vakuumumgebungen.
· Kernfusionsreaktoren : Beständig gegen Neutronenbestrahlung (> 1015 n/cm2) und Plasmaerosion für > 100.000 Zyklen.
Häufig gestellte Fragen
- Ich weiß.
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