4 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 100 mm Dicke 350um Prime Grade Dummy Grade

Die 4-Zoll-Wafer aus 4H-N-Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit einer 4H-Polytyp-Kristallstruktur.

Es hat einen Durchmesser von 4 Zoll (100 mm) und ist typischerweise als (0001) Si- oder (000-1) C-Gesicht ausgerichtet.

Diese Wafer sind N-Typ, mit Stickstoff bestückt und haben eine Dicke von etwa 350 μm.

Die Widerstandsfähigkeit dieser Wafer liegt in der Regel zwischen 0,015 und 0,025 Ohmcm, und sie haben oft eine polierte Oberfläche auf einer oder beiden Seiten.

Silikonkarbidwafer sind für ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit bekannt.

Und auch für eine breite Bandbreite von 3,23 eV, ein hohes elektrisches Feld und eine signifikante Elektronenmobilität.

Sie weisen eine hohe Härte auf, was sie gegen Verschleiß und thermische Stoßbelastungen widerstandsfähig macht und eine außergewöhnliche chemische und thermische Stabilität aufweist.

Diese Eigenschaften machen SiC-Wafer für Anwendungen in rauen Umgebungen geeignet, einschließlich Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenz-elektronische Geräte.

SiC-Wafer Eigenschaften:

• Produktbezeichnung: Substrat aus Siliziumcarbid (SiC)
• Hexagonale Struktur: Einzigartige elektronische Eigenschaften.
• Weite Bandbreite: 3,23 eV, die den Betrieb bei hohen Temperaturen und die Strahlungsbeständigkeit ermöglichen
• Hohe Wärmeleitung: Erleichtert eine effiziente Wärmeableitung
• Elektrofeld mit hoher Auflösung: Ermöglicht einen höheren Spannungsbetrieb bei geringerer Leckage
• Hohe Elektronenmobilität: Verbessert die Leistung von HF- und Stromgeräten
• Niedrige Dislokationsdichte: Verbessert die Materialqualität und die Zuverlässigkeit des Geräts
• Hohe Härte: Widerstandsfähigkeit gegen Verschleiß und mechanische Belastungen
• Ausgezeichnete chemische Stabilität: Korrosions- und Oxidationsbeständig
• Hohe Wärmeschlagfestigkeit: Bei schnellen Temperaturwechseln erhalten

Technische Parameter für SiC-Wafer:

SiC-Wafer Anwendungen:

SiC (Silicon Carbide) Substrate werden aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften wie hoher Wärmeleitfähigkeit, hoher elektrischer Feldfestigkeit und breiter Bandbreite in verschiedenen Hochleistungsanwendungen verwendet.Hier sind einige Anwendungen:

1. Leistungselektronik

• MOSFETs: Für eine effiziente Leistungsumwandlung, die hohe Spannungen und Ströme bewältigen kann.
• Schottky-Dioden: Wird in Stromgerichtlern und Schaltanwendungen eingesetzt und bietet einen geringen Vorwärtsspannungsabfall und eine schnelle Schaltung.
• JFETs: Ideal für Hochspannungsschalter und -verstärker.

2. HF-Geräte

• Funkverstärker: Verbessert die Leistung in der Telekommunikation, insbesondere im Hochfrequenzbereich.
• MMICs (monolithische Mikrowellen-Integrierte Schaltungen): In Radarsystemen, Satellitenkommunikation und anderen Hochfrequenzanwendungen verwendet.

3. LED-Substrate

• LEDs mit hoher Helligkeit: Durch seine hervorragenden thermischen Eigenschaften eignet er sich für hochintensive Beleuchtungs- und Anzeigenauflagen.

SiC-Wafer-Anpassung:

Wir können die Größe des SiC-Substrats an Ihre spezifischen Anforderungen anpassen.

Wir bieten auch eine 4H-Semi HPSI SiC Wafer mit einer Größe von 10x10 mm oder 5x5 mm und 6H-N,6H-Semi Typ.

Der Preis hängt vom Fall ab, und die Verpackungsdetails können nach Ihren Vorlieben angepasst werden.

Die Lieferzeit beträgt 2-4 Wochen. Wir akzeptieren die Zahlung per T/T.

*Dies ist die Anpassung.

SiC-WaferUnterstützung und Dienstleistungen:

Unser SiC-Substrat-Produkt ist mit umfassender technischer Unterstützung und Dienstleistungen ausgestattet, um eine optimale Leistung und Kundenzufriedenheit zu gewährleisten.

Unser Expertenteam steht zur Verfügung, um bei der Produktauswahl, Installation und Fehlerbehebung zu helfen.

Wir bieten Schulungen und Unterricht über die Verwendung und Wartung unserer Produkte an, um unseren Kunden zu helfen, ihre Investition zu maximieren.

Darüber hinaus stellen wir kontinuierliche Produktaktualisierungen und -verbesserungen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass unsere Kunden immer Zugang zu den neuesten Technologien haben.

Die Produkte empfehlen:

1.Silikonkarbidwafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Industrieanwendung mit Oberflächenrauheit ≤0,2 nm

SiC-Wafer-Fragen:

1 F: Wie verglichen sich die Leistungsfähigkeit von 4H-N SiC mit der von GaN (Galliumnitrid) bei ähnlichen Anwendungen?

Eine: Sowohl 4H-N SiC als auch GaN werden in Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen verwendet, aber SiC bietet in der Regel eine höhere Wärmeleitfähigkeit und Abbruchspannung, während GaN eine höhere Elektronenmobilität bietet.Die Wahl hängt von den spezifischen Anforderungen der Anwendung ab.

Außerdem liefern wir auch GaN-Wafer.

2.F: Gibt es Alternativen zu 4H-N SiC für ähnliche Anwendungen?

Eine: Alternativen sind GaN (Galliumnitrid) für Hochfrequenz- und Leistungsanwendungen und andere Polytypen von SiC wie 6H-SiC.Jedes Material hat seine eigenen Vorteile, je nach spezifischen Anwendungsbedarf.

3F: Welche Rolle spielt Stickstoffdopping in 4H-N SiC-Wafern?

Eine: Durch Stickstoffdoping werden freie Elektronen eingeführt, wodurch die Wafer N-Typ wird, wodurch die elektrische Leitfähigkeit und Leistung der aus der Wafer hergestellten Halbleitergeräte verbessert werden.