Ultradünnes System Semicondutor Al2O3 Sapphire Substrate Plate For Laser

Chemisch ist macht Saphir einzelnes Kristallaluminiumoxyd (Al2O3), und ist in einem Sendebereich von 0,2 - 5.5µm.Sapphire nützlich und so sie ideale Materialien für fordernde Anwendungen (wie Laser-Systeme) wegen ihrer extremen Oberflächenhärte, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Dielektrizitätskonstante und Widerstand zu den allgemeinen chemischen Säuren und zu den Alkalien. Und Saphir ist auch der zweite härteste Kristall nahe bei Diamanten und, wegen ihrer strukturellen Stärke, können Saphirfenster viel dünn gemacht werden als andere allgemeine dielektrische Fenster mit verbesserter Beförderung.
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Wir können kundengebundene Berufsdienstleistung in der Zeit erbringen und die Zusammenarbeit und Unterstützung des Gerätes der der Entwicklung neuer Produkte gewähren und Technologie.

Material-Saphir (Al2O3)
Dichte (20°C) Kg/m3 3.98×103
Crystal Structure sechseckig
Kristallgitterkonstante a=4.785Å c=12.991 Å
Mohs-Härte 9
Schmelzpunkt 2045°C
Siedepunkt 3000°C
Ausdehnungskoeffizient α=5.8×10 -6 /K
Spezifische Wärme 0.418W.s/g/k
Thermisches conductio 25.12W/m/k (@100°C)
Brechungskoeffizient (Nd) no=1.768ne=1.76
dn/dt 13×10-6/K (@633nm)
Tranmission T≈85% (0.3~5um)
Genehmigung 11,5 (//c), 9,3 (⊥c)

1. Von der Orientierungsebene: Eine Achse ±0.1°
2. Frontside-Oberflächenrauigkeit: Ra<0.3nm
3. Rückseiten-Oberflächenrauigkeit: 0.8~1.2um
4. (Oder doppelte Seite poliert, Seite Ra<0.2nm)
5. TTV: <15um BOGEN: - 15~0um VERZERRUNG: <20um
6. Laser Mark Series No. durch Bedarf
7. Paket: Vakuumversiegelte Behälter mit Stickstoff füllen in einer Umwelt der Klasse 100 nach

Sapphire Wafer Process Step


Probe

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