Titel: Durchbruch in der 12-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer-Laser-Liftoff-Technologie – Beijing Jinfei Semiconductor Technology Co., Ltd.
Kürzlich erzielte die Beijing Jinfei Semiconductor Technology Co., Ltd., ein führender inländischer Hersteller von Halbleiterausrüstungen, einen bedeutenden Durchbruch in der Siliziumkarbid-(SiC)-Wafer-Verarbeitungstechnologie. Das Unternehmen setzte erfolgreich seine selbst entwickelte Laser-Liftoff-Ausrüstung zur Herstellung von 12-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern ein. Dieser Meilenstein markiert Chinas entscheidenden Fortschritt bei der Herstellung von Halbleiterausrüstungen der dritten Generation und bietet eine neuartige Lösung zur globalen Kostenreduzierung und Effizienzsteigerung in der SiC-Industrie. Die Technologie hat bereits die Kundenvalidierung für 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-Anwendungen bestanden und zeigt eine Leistung, die den internationalen Standards entspricht.
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Wichtige Auswirkungen dieses technologischen Durchbruchs für die SiC-Industrie:
1.Deutliche Reduzierung der Produktionskosten:
Im Vergleich zu gängigen 6-Zoll-Wafern erweitern 12-Zoll-SiC-Wafer die nutzbare Waferfläche um ~4x und reduzieren die Stückkosten der Chips um 30 %–40 %..
2.Erhöhung der industriellen Versorgungskapazität:
Durch die Lösung technischer Engpässe bei der Verarbeitung von großformatigen SiC-Wafern unterstützt diese Innovation die globale Kapazitätserweiterung für die SiC-Produktion..
3.Beschleunigung der inländischen Substitution:
Durch den Bruch ausländischer Monopole bei der Verarbeitung von großformatigen SiC-Ausrüstungen stärkt diese Errungenschaft Chinas Eigenständigkeit in der Halbleiterfertigungsinfrastruktur..
4.Ausweitung der nachgelagerten Anwendungen:
Kostensenkungen werden die Einführung von SiC-Bauelementen in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und anderen wachstumsstarken Sektoren beschleunigen..
Die Beijing Jinfei Semiconductor Technology Co., Ltd., ein Spin-off-Unternehmen des Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, ist auf Forschung und Entwicklung, Produktion und Vertrieb von halbleiterspezifischen Geräten spezialisiert. Das Unternehmen konzentriert sich auf Laseranwendungstechnologie und hat proprietäre Halbleiterverarbeitungssysteme entwickelt, die wichtige inländische Halbleiterhersteller bedienen.
Aussage des CEO:
“Dieser Durchbruch in der 12-Zoll-SiC-Laser-Liftoff-Technologie, der die technologische Innovation als unseren Kernantrieb betrachtet, spiegelt unser technisches Fachwissen und die robuste Unterstützung der Beijing Municipal Science & Technology Commission, des Institute of Semiconductors (CAS) und des ‘Disruptive Technology Innovation’-Schlüsselprojekts unter der Leitung des Jing-Jin-Tang National Innovation Center wider. In Zukunft werden wir die F&E-Investitionen intensivieren, um unseren Kunden leistungsfähigere Halbleiterausrüstungslösungen zu liefern.”
Fazit
ZMSH liefert mit End-to-End-Selbstkontrollierbarkeit als Kernstück Komplettlösungen, die von kundenspezifischem Geräte-Design über Prozessoptimierung bis hin zur Massenproduktion reichen. Durch die Nutzung von Durchbrüchen in der Laser-Liftoff-Technologie haben wir die hocheffiziente Massenproduktion von inländisch hergestellten 12-Zoll-Siliziumkarbid-(SiC)-Wafern erreicht, wodurch Kunden in die Lage versetzt werden, schnell kostengünstige, leistungsstarke Lieferketten aufzubauen. Durch national produzierte Geräte und ein lokalisiertes Servicenetzwerk garantieren wir 48-Stunden-Reaktionszeiten auf Kundenanforderungen und fördern ökologische Synergien über die gesamte Wertschöpfungskette hinweg — von Substraten bis zu Bauelementen — um die skalierbare Einführung der SiC-Technologie in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und anderen wichtigen Sektoren zu beschleunigen.
Titel: Durchbruch in der 12-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer-Laser-Liftoff-Technologie – Beijing Jinfei Semiconductor Technology Co., Ltd.
Kürzlich erzielte die Beijing Jinfei Semiconductor Technology Co., Ltd., ein führender inländischer Hersteller von Halbleiterausrüstungen, einen bedeutenden Durchbruch in der Siliziumkarbid-(SiC)-Wafer-Verarbeitungstechnologie. Das Unternehmen setzte erfolgreich seine selbst entwickelte Laser-Liftoff-Ausrüstung zur Herstellung von 12-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern ein. Dieser Meilenstein markiert Chinas entscheidenden Fortschritt bei der Herstellung von Halbleiterausrüstungen der dritten Generation und bietet eine neuartige Lösung zur globalen Kostenreduzierung und Effizienzsteigerung in der SiC-Industrie. Die Technologie hat bereits die Kundenvalidierung für 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-Anwendungen bestanden und zeigt eine Leistung, die den internationalen Standards entspricht.
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Wichtige Auswirkungen dieses technologischen Durchbruchs für die SiC-Industrie:
1.Deutliche Reduzierung der Produktionskosten:
Im Vergleich zu gängigen 6-Zoll-Wafern erweitern 12-Zoll-SiC-Wafer die nutzbare Waferfläche um ~4x und reduzieren die Stückkosten der Chips um 30 %–40 %..
2.Erhöhung der industriellen Versorgungskapazität:
Durch die Lösung technischer Engpässe bei der Verarbeitung von großformatigen SiC-Wafern unterstützt diese Innovation die globale Kapazitätserweiterung für die SiC-Produktion..
3.Beschleunigung der inländischen Substitution:
Durch den Bruch ausländischer Monopole bei der Verarbeitung von großformatigen SiC-Ausrüstungen stärkt diese Errungenschaft Chinas Eigenständigkeit in der Halbleiterfertigungsinfrastruktur..
4.Ausweitung der nachgelagerten Anwendungen:
Kostensenkungen werden die Einführung von SiC-Bauelementen in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und anderen wachstumsstarken Sektoren beschleunigen..
Die Beijing Jinfei Semiconductor Technology Co., Ltd., ein Spin-off-Unternehmen des Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, ist auf Forschung und Entwicklung, Produktion und Vertrieb von halbleiterspezifischen Geräten spezialisiert. Das Unternehmen konzentriert sich auf Laseranwendungstechnologie und hat proprietäre Halbleiterverarbeitungssysteme entwickelt, die wichtige inländische Halbleiterhersteller bedienen.
Aussage des CEO:
“Dieser Durchbruch in der 12-Zoll-SiC-Laser-Liftoff-Technologie, der die technologische Innovation als unseren Kernantrieb betrachtet, spiegelt unser technisches Fachwissen und die robuste Unterstützung der Beijing Municipal Science & Technology Commission, des Institute of Semiconductors (CAS) und des ‘Disruptive Technology Innovation’-Schlüsselprojekts unter der Leitung des Jing-Jin-Tang National Innovation Center wider. In Zukunft werden wir die F&E-Investitionen intensivieren, um unseren Kunden leistungsfähigere Halbleiterausrüstungslösungen zu liefern.”
Fazit
ZMSH liefert mit End-to-End-Selbstkontrollierbarkeit als Kernstück Komplettlösungen, die von kundenspezifischem Geräte-Design über Prozessoptimierung bis hin zur Massenproduktion reichen. Durch die Nutzung von Durchbrüchen in der Laser-Liftoff-Technologie haben wir die hocheffiziente Massenproduktion von inländisch hergestellten 12-Zoll-Siliziumkarbid-(SiC)-Wafern erreicht, wodurch Kunden in die Lage versetzt werden, schnell kostengünstige, leistungsstarke Lieferketten aufzubauen. Durch national produzierte Geräte und ein lokalisiertes Servicenetzwerk garantieren wir 48-Stunden-Reaktionszeiten auf Kundenanforderungen und fördern ökologische Synergien über die gesamte Wertschöpfungskette hinweg — von Substraten bis zu Bauelementen — um die skalierbare Einführung der SiC-Technologie in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und anderen wichtigen Sektoren zu beschleunigen.