GaN-Oblate Gallium-Nitrid-Oblate Leistungsfähigkeit der hohen Leistung für Energiesparende Beleuchtung

Gallium-Nitrid GaN-Oblate Methode 2inch HVPE, freie stehende GaN-Substrate für LED-applicaion, 10x10mm Größe GaN-Chips, Oblate HVPE GaN

Über GaN-Eigenschaft führen Sie ein

Die steigende Nachfrage nach den Hochgeschwindigkeits-, Hochtemperatur- und hohen macht-Behandlungsfähigkeiten lässt madethe Halbleiterindustrie die Materialauswahl überdenken benutzt als Halbleiter. Zum Beispiel,

während verschiedene schnellere und kleinere Datenverarbeitungsgeräte entstehen, macht der Gebrauch des Silikons es schwierig, Moores Gesetz zu stützen. Aber auch in der Leistungselektronik, also in GaN-Halbleiterwafer wird heraus für den Bedarf gewachsen.

An seiner einzigartigen Durchbruchsspannung der Eigenschaften (hohes maximales gegenwärtiges, hohes und an hohen Schaltfrequenz), Gallium-Nitrid GaN liegt das einzigartige Material der Wahl, zum von Energieproblemen der Zukunft zu lösen. GaN basierte Systeme haben Leistungsfähigkeit der höheren Energie, so schalten verringern Leistungsabfälle, bei höherer Frequenz und so verringern Größe und Gewicht.

GaN-Technologie wird in den zahlreichen starken Anwendungen wie industrieller, Verbraucher- und Serverstromversorgung, Solar-, Wechselstrom-Antrieb und UPS-Invertern und Kreuzung und Elektroautos eingesetzt. Außerdem,

GaN wird ideal für Rf-Anwendungen wie zelluläre Basisstationen, Radare und Kabelfernsehen entsprochen

Infrastruktur in der Vernetzung, Aerospace- und Verteidigungssektoren, dank seine hohe Zusammenbruchstärke, lärmarme Zahl und hohe Linearitäten.

Anwendungen

Spezifikationen für Grad GaN-Substrate LED