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2 / 4 Zoll-Gallium-Nitrid AlN-Schablonen-Wafer auf Saphir, sic Substrate

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2 / 4 Zoll-Gallium-Nitrid AlN-Schablonen-Wafer auf Saphir, sic Substrate

2 / 4 Inch Gallium Nitride AlN Template Wafer On Sapphire , Sic Substrates
2 / 4 Inch Gallium Nitride AlN Template Wafer On Sapphire , Sic Substrates 2 / 4 Inch Gallium Nitride AlN Template Wafer On Sapphire , Sic Substrates

Großes Bild :  2 / 4 Zoll-Gallium-Nitrid AlN-Schablonen-Wafer auf Saphir, sic Substrate

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: 4inch AlN

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 2pc
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: L / C, T / T
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: AlN auf Oblate Methode: HVPE
Größe: 4inch Stärke: 430+15um oder 650um
Industrie: LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor, Oberfläche: doppelte oder einfache Seite poliert
Markieren:

gan substrate

,

gan template

Nitrid AlN-Schablonenoblate des Gallium-2inch, 4inch auf Saphir oder sic Substrate, HVPE-Gallium-Nitridoblate, AlN-Schablonen 

  1. III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus)

Verbotene Abdeckung der Bandbreite (lichtemittierend und Absorption) das ultraviolette, das sichtbare Licht und das Infrarot.

Produkt  Film des Aluminium-Nitrids (AlN)
Produkt-Beschreibung: AllN Epitxial schlug vorbildliche saphhire Hydrid-Dampfphasen-Epitaxie (HVPE)-Methode vor. Aluminium-Nitrid-Film ist auch kosteneffektive Weise, das Substrat des einzelnen Kristalles des Aluminium-Nitrids zu ersetzen. Willkommen des Niederlassungs-Kristalles herzlichst Ihre Untersuchung!
Technische Parameter:
Größe 50mm ± 2mm
Saphirsubstratorientierung Cachse (0001) ± 1.0deg
Makrodefektdichte <5cm-2>
Nutzflächebereich 90%
Oberflächenbehandlung vorher Wie Epi-bereit gewachsen
Behälter Einzelner Chip

 

Spezifikationen:

10x10x0.5mm, 10x10x1mm, dia2 „x1mm;

Kann entsprechend spezieller Orientierung und Größe der Kundennachfrage besonders angefertigt werden.

Standard-Verpacken: saubere Tasche 1000 Reinraum, 100 oder einzelnes Kastenverpacken
 

 2 / 4 Zoll-Gallium-Nitrid AlN-Schablonen-Wafer auf Saphir, sic Substrate 0
 
GaN kann in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung und Darstellung verwendet werden,
Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.
2 / 4 Zoll-Gallium-Nitrid AlN-Schablonen-Wafer auf Saphir, sic Substrate 1
 
 
Spezifikationen:

  4" AlN-Schablonen der Größe 2-4inch O.K. auch
Einzelteil AlN-T
Maße Ф 100±0.3mm
Substrat Saphir sic GaN
Stärke 1000nm+/- 10% (AlN-Stärke)
Orientierung C-Achse (0001) ± 1°
Leitungs-Art Halb-Isolieren
Versetzungsdichte XRD FWHM von (0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHM von (10-12) < 1000="" arcsec="">
Verwendbare Fläche > 80%
Polnisch Standard: SSP
Wahl: DSP
Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten 25pcs oder einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre. oder einzelne Kassetten.

Anderes sortieren aslike 5x5mm, 10x10mm, 2inch, 3inch kann auch besonders angefertigt werden. 

 

Über unser Team

    ZMKJ findet in der Stadt von Shanghai, das die beste Stadt von China ist,

und unsere Fabrik wird in Wuxi-Stadt im Jahre 2014, aber im Halbleitermaterial gegründet,

haben Sie die gute Erfahrung für fast 10years.
   Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu custiomized optischem Glas parts.components zu verarbeiten, die in der Elektronik, in der Optik, in der Optoelektronik und in vieler anderer Felder weit verbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung.
     Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten reputatiaons.


2 / 4 Zoll-Gallium-Nitrid AlN-Schablonen-Wafer auf Saphir, sic Substrate 2

 

Kontaktdaten
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Wang

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