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Indium-Phosphid-Oblate
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| Herkunftsort | China |
| Markenname | zmkj |
| Modellnummer | InP-2inch |
2inch N-artige P-artige Indium-Phosphid Grad des Primärgrades der Stärke 350um blinde Kristallinp-Substratoblate für LD
Material des einzelnen Kristalles des Indiumphosphids ist eins des meisten wichtigen Halbleitermittels, das Schlüsselrohstoff für Laserdiode des Indiumphosphidsubstrates (LD) ist, lichtemittierende Diode (LED), Fotodetektor in der Produktion der optischen Nachrichtenübertragung. Jene Teile spielen die Informationen, die, das Übertragen starten und verstärken, Aufnahmefunktion.
Indiumphosphid ist für Hochfrequenzgeräte, wie HEMT, HBT und so weiter ideal. Wegen seines großen Eigentums ist es in der fiberoptischen Kommunikation, Mikrowelle, millietric Welle, Antistrahlung von Solarzellen, Heterojunctionstransistor, andere ähnliche neue Technologie und so weiter weit verbreitet. Hauptproduktionsverfahren des einzelnen cryatal Materials des Indiumphosphids umfassen LEC, verbessertes LEC, VCZ/PC-LEC, VGF, VB und so weiter.
Spezifikation
| Einzelteil | Durchmesser | Art | tragende Konzentration | Mobilität | Widerstandskraft | MPD |
| S-InP | 2 | N | (0.8-6) X10^18 | (1.5-3.5) x10^3 | <500 | |
| 3 | <500 | |||||
| 4 | <1x10^3 | |||||
| F.E.-InP | 2/3/4 | SI | >1000 | >0.5x10^7 | >5x10^3 | |
| Zn-InP | 2/3/4 | P | (0.6-6) X10^18 | 50-70 | <1x10^3 | |
| Kein Schmiere InP | 2 | N | <3x10^16 | (3.5-4) x10^3 | <5x10^3 | |
| Anderes | ||||||
| Orientierung | (100)/(111) ±0.5° | Flachheit | ||||
| TTV | Bogen | Verzerrung | ||||
| <12um | <12um | ≤15um | ||||
| 1. der Ebene | 16±2mm | 22±2mm | 32.5±2.5mm | |||
| 2. der Ebene | 8±1mm | 11±2mm | 32.5±2.5mm | |||
| Oberfläche: 1sp oder 2sp, 2inch 350±25um, 3inch 600±25um, 4inch 625±25um oder, durch besonders angefertigt | ||||||
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