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2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Name: 2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: GaN-Schablonen
Price: 150.00 USD
Availability: InStock

Markenbezeichnung:	zmkj
Modellnummer:	GaN-Schablonen
MOQ:	5pc
Preis:	by case
Lieferzeit:	2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen:	L / C, T / T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Material:

GaN-epi auf Saphirfördermaschine

Methode:

HVPE

Größe:

2inch

Stärke:

430um

Industrie:

LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor,

Oberfläche:

Simplex poliert

Verpackung Informationen:

einzelner Oblatenkasten im Reinigungsraum mit 100 Graden

Hervorheben:

gan Substrat

gan Schablone

Produkt-Beschreibung

Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, Oblate mocvd GaN,

GaN-Spezifikationen/spezielle Eigenschaften:

Galliumnitrid (GaN) ist ein sehr hartes gemachtes Material, das einen Wurtzit Kristallstruktur hat und ist vermutlich das wichtigste Halbleitermaterial als das Material der dritten Generation halb.
Es kann verwendet werden, um glänzendes Licht in Form von lichtemittierenden Dioden (LED) und Laserdioden auszustrahlen, sowie das Schlüsselmaterial für Hochfrequenz der nächsten Generation, die Transistoren der hohen Leistung zu sein, die zu bei hohen Temperaturen funktionieren fähig sind.
GaN basierte Epitaxial- Wafer (Saphir, sic), das Epitaxial- Wafers durch MBE- oder MOCVD-Methode gewachsen werden, eine Schicht oder mehrschichtige Strukturen auf Saphirsubstraten, Durchmesser bis 4 Zoll.

Verbotene Abdeckung der Bandbreite des III-Nitrids (GaN, AlN, Gasthaus) (lichtemittierend und Absorption) das ultraviolette,

sichtbares Licht und infrared.GaN können in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung verwendet werden

und Darstellung, Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt 0

Spezifikationen:

2" GaN-Schablonen

Einzelteil	GaN-T-N	GaN-T-S
Maße	Ф 2"
Stärke	15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40	30 μm, μm 90
Orientierung	C-Achse (0001) ± 1°
Leitungs-Art	N-artig	Halb-Isolieren
Widerstandskraft (300K)	< 0="">Ω·cm	>106 Ω·cm
Versetzungsdichte	Kleiner als cm2 1x108
Substratstruktur	Starkes GaN auf Saphir 430um oder 330um (0001)
Verwendbare Fläche	> 90%
Polnisch	Standard: SSP-Wahl: DSP
Paket	Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten 25pcs oder einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt 3
- FAQ –
Q: Was können Sie Logistik und Kosten liefern?
(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF durch UHRKETTE an.
Q: Was ist die Lieferfrist?
(1) für die Standardprodukte wie Oblate 2inch 0.33mm.
Für Inventar: die Lieferung ist 5 Arbeitstage nach Auftrag.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder 3 Arbeitswochen nach Auftrag.
Q: Wie man zahlt?
100%T/T im Voraus, Paypal, Westverband, MoneyGram,

Umbauten:

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Einzelheiten zu den Produkten

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

gan Substrat

gan Schablone

GaN-Spezifikationen/spezielle Eigenschaften:

gan Schablone

gan Substrat

aln Schablone

GaN-auf-Si-GaN-auf-SICs Epi 4Inch 6INCH Oblaten für Rf-Anwendung

GaN-Auf-Si EPI-WAFERS 8INCH 12INCH 6INCH für Anwendung Energie Rfs LED