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2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

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2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

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Großes Bild :  2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: GaN-Schablonen
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 5pc
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: L / C, T / T

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Beschreibung
Material: GaN-epi auf Saphirfördermaschine Methode: HVPE
Größe: 2inch Stärke: 430um
Industrie: LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor, Oberfläche: Simplex poliert
Markieren:

gan Substrat

,

gan Schablone

Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, Oblate mocvd GaN,

GaN-Spezifikationen/spezielle Eigenschaften:

  1. Galliumnitrid (GaN) ist ein sehr hartes gemachtes Material, das einen Wurtzit Kristallstruktur hat und ist vermutlich das wichtigste Halbleitermaterial als das Material der dritten Generation halb.
  2.  Es kann verwendet werden, um glänzendes Licht in Form von lichtemittierenden Dioden (LED) und Laserdioden auszustrahlen, sowie das Schlüsselmaterial für Hochfrequenz der nächsten Generation, die Transistoren der hohen Leistung zu sein, die zu bei hohen Temperaturen funktionieren fähig sind.
  3. GaN basierte Epitaxial- Wafer (Saphir, sic), das Epitaxial- Wafers durch MBE- oder MOCVD-Methode gewachsen werden, eine Schicht oder mehrschichtige Strukturen auf Saphirsubstraten, Durchmesser bis 4 Zoll.

Verbotene Abdeckung der Bandbreite des III-Nitrids (GaN, AlN, Gasthaus) (lichtemittierend und Absorption) das ultraviolette,

sichtbares Licht und infrared.GaN können in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung verwendet werden

und Darstellung, Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.

 2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt 0
 
Spezifikationen:
 

2" GaN-Schablonen

 

 Einzelteil

 

GaN-T-N  

GaN-T-S

Maße

Ф 2"

 Stärke

15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40

30 μm, μm 90

 Orientierung

C-Achse (0001) ± 1°

Leitungs-Art

N-artig

Halb-Isolieren

 Widerstandskraft (300K)

< 0="">Ω·cm

>106 Ω·cm

 Versetzungsdichte

Kleiner als cm2 1x108

Substratstruktur

 
Starkes GaN auf Saphir 430um oder 330um (0001)

 

 Verwendbare Fläche

> 90%

Polnisch

Standard: SSP-Wahl: DSP

 Paket

Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten 25pcs oder einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

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