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Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

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Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

Laser Projection Display Gallium Nitride GaN Wafer 350um Thickness
Laser Projection Display Gallium Nitride GaN Wafer 350um Thickness Laser Projection Display Gallium Nitride GaN Wafer 350um Thickness

Großes Bild :  Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: GaN-2INCH

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1PC
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: L / C, T / T
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: Einzelner Kristall GaN Methode: HVPE
Größe: 2inch Stärke: 330um
Industrie: LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor, Farbe: Weiß
PAKET: einzelnes Oblatenkassetten-Kastenpaket durch Vakuumzustand
Markieren:

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,

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freistehende GaN Substrate 2inch, GaN-Oblate für LD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für geführt, GaN-Schablone, 10x10mm GaN Substrate, gebürtige GaN-Oblate,

 

  1. III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus)

Verbotene Abdeckung der Bandbreite (lichtemittierend und Absorption) das ultraviolette, das sichtbare Licht und das Infrarot.

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um 0Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um 1

 

 

GaN kann in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung und Darstellung verwendet werden,

Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.

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Spezifikationen:

Einzelteil GaN-Rumpfstation-n
Maße ± 1mm Ф 50.8mm
Marco-Defekt-Dichte Ein Niveau ≤ 2 cm-2
B-Niveau > 2 cm-2
Stärke 300 ± 25 µm
Orientierung C-Achse (0001) ± 0.5°
Orientierung flach (1-100) ± 0.5°, ± 16,0 1.0mm
Sekundärorientierung flach (11-20) ± 3°, 8,0 ± 1.0mm
TTV (Gesamtstärke-Veränderung) µm ≤15
BOGEN µm ≤20
Leitungs-Art N-artig
Widerstandskraft (300K) < 0="">
Versetzungsdichte Kleiner als 5x106 cm-2
Verwendbare Fläche > 90%
Polnisch

Vordere Oberfläche: Ra < 0="">

Hintere Oberfläche: Feiner Boden

Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

 

2. Unsere Unternehmens-Vision

wir stellen GaN-Substrat der hohen Qualität und Anwendungstechnologie für die Industrie zur Verfügung.

Hohe Qualität GaNmaterial ist der zurückhaltene Faktor für die III-Nitridanwendung, z.B. langes Leben

und hohe Stabilität LDs, hohe Leistung und hohe Zuverlässigkeitsmikrowellengeräte, hohe Helligkeit

und hohe Leistungsfähigkeit, energiesparende LED.

 

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- FAQ –
Q: Was können Sie Logistik und Kosten liefern?
(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.
(2) wenn Sie Ihre eigene Eilzahl haben, ist sie groß.
Wenn nicht, könnten wir Sie unterstützen, um zu liefern. Freight=USD25.0 (das erste Gewicht) + USD12.0/kg

Q: Was ist die Lieferfrist?
(1) für die Standardprodukte wie Oblate 2inch 0.33mm.
Für Inventar: die Lieferung ist 5 Arbeitstage nach Auftrag.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder 3 Arbeitswochen nach Auftrag.

Q: Wie man zahlt?
100%T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram, sichere Zahlung und Handels-Versicherung.

Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 1pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 5pcs-10pcs.
Es hängt von der Quantität und von den Techniken ab.

Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können ROHS-Berichts- und -reichweitenberichte für unsere Produkte liefern.

 

 

Kontaktdaten
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Wang

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