Einzelheiten zu den Produkten

Haus PRODUKTE

4" Gallium-Nitrid-Oblate

Markenbezeichnung:	zmkj
Modellnummer:	2-4inch GaN Schablone
MOQ:	2pc
Preis:	by case
Lieferzeit:	2-4weeks
Zahlungsbedingungen:	L/C, T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

CHINA

Material:

Schicht auf Saphiroblate

Methode:

HVPE

Größe:

2inch, 4inch

Stärke:

430+15um oder 650um

Industrie:

LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor,

Oberfläche:

doppelte oder einfache Seite poliert

Verpackung Informationen:

einzelner Oblatenkasten im Reinigungsraum mit 100 Graden

Hervorheben:

4" Gallium-Nitrid-Oblate

HVPE-Gallium-Nitrid-Oblate

Nitrid-Oblate des Gallium-650um

Produkt-Beschreibung

UVC Substrate LED EPI überlagern Nitrid AlN-Schablonenoblate des Gallium-2inch, 4inch auf Saphir oder sic Substrate,

HVPE-Gallium-Nitridoblate, AlN-Schablonen

III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus)

Die verbotene Bandbreite (lichtemittierend und Absorption) umfasst das ultraviolette, sichtbare Licht und das Infrarot.

Produkt

Film des Aluminium-Nitrids (AlN)

Produkt-Beschreibung:

AllN Epitxial schlug vorbildliche Methode der saphhire Hydrid-Dampfphasen-Epitaxie (HVPE) vor. Aluminium-Nitrid-Film ist auch kosteneffektive Weise, das Aluminium-Nitrid-einzelne Kristallsubstrat zu ersetzen. Niederlassungs-Kristall begrüßen herzlichst Ihre Untersuchung!

Technische Parameter:

Größe	50mm ± 2mm
Saphirsubstratorientierung	Cachse (0001) ± 1.0deg
Makrodefektdichte	<5cm-2>
Nutzflächebereich	90%
Oberflächenbehandlung vorher	Wie Epi-bereit gewachsen
Behälter	Einzelner Chip

Spezifikationen:

10x10x0.5mm, 10x10x1mm, dia2 „x1mm;

Kann entsprechend spezieller Orientierung und Größe der Kundennachfrage besonders angefertigt werden.

Standardverpacken:

saubere Tasche 1000 Reinraum, 100 oder einzelnes Kastenverpacken

Spezifikationen:

	4" AlN-Schablonen	Größe 2-4inch auch okay
Einzelteil	AlN-T
Maße	Ф 100±0.3mm
Substrat	Saphir sic GaN
Stärke	1000nm+/- 10% (AlN-Stärke)
Orientierung	C-Achse (0001) ± 1°
Leitungs-Art	Halb-Isolieren
Versetzungsdichte	XRD FWHM von (0002) < 200="" arcsec="">
	XRD FWHM von (10-12) < 1000="" arcsec="">
Verwendbare Fläche	> 80%
Polnisch	Standard: SSP
	Wahl: DSP
Paket	Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten 25pcs oder einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre. oder einzelne Kassetten.

Andere Größe aslike 5x5mm, 10x10mm, 2inch, 3inch kann auch besonders angefertigt werden.

4" Gallium-Nitrid-Oblate 0

Anwendung:

4" Gallium-Nitrid-Oblate 1

4" Gallium-Nitrid-Oblate 2

4" Gallium-Nitrid-Oblate 3

4" Gallium-Nitrid-Oblate 4

Über unser Team

ZMKJ findet in der Stadt von Shanghai, das die beste Stadt von China ist,

und unsere Fabrik wird in Wuxi-Stadt im Jahre 2014, aber im Halbleitermaterial gegründet,

haben Sie die gute Erfahrung für fast 10years.
Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu custiomized optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung.
Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten reputatiaons.

4" Gallium-Nitrid-Oblate 5

Umbauten:

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Einzelheiten zu den Produkten

4" Gallium-Nitrid-Oblate

4" Gallium-Nitrid-Oblate

HVPE-Gallium-Nitrid-Oblate

Nitrid-Oblate des Gallium-650um

gan Schablone

gan Substrat

aln Schablone

GaN-auf-Si-GaN-auf-SICs Epi 4Inch 6INCH Oblaten für Rf-Anwendung

GaN-Auf-Si EPI-WAFERS 8INCH 12INCH 6INCH für Anwendung Energie Rfs LED