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kundengebundene Silikonkarbidkristallsic Oblaten der Stärke 4inch 4H-N

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kundengebundene Silikonkarbidkristallsic Oblaten der Stärke 4inch 4H-N

customized thickness 4inch 4H-N silicon carbide crystal sic wafers
customized thickness 4inch 4H-N silicon carbide crystal sic wafers

Großes Bild :  kundengebundene Silikonkarbidkristallsic Oblaten der Stärke 4inch 4H-N

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: 4H-N, 4inch

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 10pcs
Preis: by required
Verpackung Informationen: Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten einzelnen Oblatenbehältern
Lieferzeit: 10-20days
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100pcs/months
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: Silikonkarbidkristall Größe: 4inch
Anwendung: Impfkristallgrad Widerstandskraft: 0.015~0.028Ω.cm
Art: 4h-n Stärke: 1.6mm
Oberfläche: wie-geschnitten Grad: Produktion

Art BLINDE des Grades des Produktionsgrades Substrate sic, Silikon-Karbidsubstrate 4inch dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement,

kundengebundene Silikonkarbidkristallsic Oblaten der Stärke 4inch 4H-N für 4inch Impfkristallgrad;

 

SUBSTRAToblatenkarborundum des Silikon-Karbids sic Kristall

SILIKON-KARBID-MATERIALEIGENSCHAFTEN

 
Produkt-Name: Kristallsubstrat des Silikonkarbids (sic)
Produkt-Beschreibung: 2-6inch
Technische Parameter:
Zellstruktur Sechseckig
Vergittern Sie konstantes ein = 3,08 Å c = 15,08 Å
Prioritäten ABCACB (6H)
Wachstumsmethode MOCVD
Richtung Entwicklungsachse oder teilweises (° 0001) 3,5
Polnisch Sioberflächenpolieren
Bandlücke eV 2,93 (indirekt)
Leitfähigkeitsart N oder seimi, hoher Reinheitsgrad
Widerstandskraft 0,076 Ohmcm
Genehmigung e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
Wärmeleitfähigkeit @ 300K 5 mit cm. K
Härte 9,2 Mohs
Spezifikationen: 6H N-artiges 4H N-artiges halb-isolierendes dia2 „x0.33mm, dia2“ x0.43mm, dia2 ' x1mmt, 10x10mm, 10x5mm einzelner Wurf oder doppelter Wurf, Ra <10a>
Standardverpacken: saubere Tasche 1000 Reinraum, 100 oder einzelnes Kastenverpacken

 

Anwendung des Silikonkarbids in der Starkstromgerätindustrie
 
Verglichen mit Geräten des Silikons (Si), können Starkstromgeräte des Silikonkarbids (sic) hohe Leistungsfähigkeit, Miniaturisierung und Leichtgewichtler von elektronischen Systemen der Energie effektiv erzielen. Der Energieverlust von Silikonkarbid-Starkstromgeräten ist nur 50% von dem von Sigeräten, ist die Hitzegeneration nur 50% von der von Silikongeräten, und es hat eine höhere spezifische Stromdichte. Auf dem gleichen Leistungspegel ist das Volumen von Silikonkarbid-Energiemodulen erheblich kleiner als das von Silikonenergiemodulen. Dem intelligenten Energiemodul IPM, unter Verwendung der Silikonkarbid-Starkstromgeräte, das Modulvolumen als Beispiel nehmen kann bis 1/3 bis 2/3 von Silikonenergiemodulen verringert werden.
 
Es gibt 3 Arten Silikonkarbidleistungsdioden: Schottky-Dioden (SBD), PIN-Dioden und Kreuzungssperrensteuer-Schottky-Dioden (JBS). Wegen der Schottky-Sperre, SBD hat eine niedrigere Kreuzungssperrenhöhe, also hat SBD den Vorteil der niedrigen Vorwärtsspannung. Das Auftauchen von Silikonkarbid SBD erhöhte den Einsatzbereich von SBD von 250V zu 1200V. Gleichzeitig sind seine Eigenschaften der hohen Temperatur, von Raumtemperatur zu 175°C begrenzten durch das Oberteil, die gegenwärtigen kaum Zunahmen des Rückdurchsickerns gut. Im Einsatzbereich von Gleichrichtern über 3kV, haben Silikonkarbid PiN und Dioden des Silikonkarbids JBS die Aufmerksamkeit wegen ihrer höheren Durchbruchsspannung, schnelleren Schaltverzögerung, kleineren Volumens und helleren Gewichts als Silikongleichrichter erregt.
 
Silikonkarbid-Energie MOSFET-Geräte haben idealen Torwiderstand, zugeschaltete Hochgeschwindigkeitsleistung, niedrigen Aufwiderstand und hohe Stabilität. Es ist das bevorzugte Gerät auf dem Gebiet von Starkstromgeräten unter 300V. Es wird berichtet, dass ein Silikonkarbid MOSFET mit einer Blockierspannung von 10kV erfolgreich entwickelt worden ist. Forscher glauben, dass Silikonkarbid MOSFET eine günstige Position auf dem Gebiet von 3kV zu 5kV einnimmt.
 
Silikonkarbid-Isolierschichtbipolar transistor (sic BJT, sic IGBT) und Silikonkarbidthyristoren (sic Thyristor), P-artige IGBT Geräte des Silikonkarbids mit einer Blockierspannung von 12kV haben gute vordere gegenwärtige Fähigkeit. Der Aufwiderstand von Geräten des Silikonkarbids IGBT kann mit Einpolsilikonkarbid-Starkstromgeräten verglichen werden. Verglichen mit Sibipolar transistor, sic haben bipolar Transistor 20-50mal, die niedriger Verluste und niedrigeren LeitungsSpannungsabfall schalten. Silikonkarbid BJT wird hauptsächlich in Epitaxial- Emitter und Ion eingepflanzten Emitter BJT unterteilt, und die typische Stromverstärkung ist zwischen 10-50.
 
   
Leistungs-Einheits-Silikon-Si-Silikon-Karbid sic    Gallium-Nitrid GaN
Bandlücke eV            1,12            3,26                             3,41
Elektrisches Feld MV/cm 0,23 des Zusammenbruches 2,2 3,3
Elektronenbeweglichkeit cm^2/Vs 1400 950 1500
Treiben Sie Geschwindigkeit 10^7 cm/s 1 2,7 2,5
Wärmeleitfähigkeit W/cmK 1,5 3,8 1,3
 

2. Substrate sortieren vom Standard

 

4 Zoll Durchmesser Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation

Grad Nullmpd-Grad Produktions-Grad Forschungs-Grad Blinder Grad
Durchmesser 100,0 mm±0.5 Millimeter
Stärke 350 μm±25μm (Stärke 200-2000um ist auch okay)
Oblaten-Orientierung Weg von der Achse: 4.0° in Richtung zu <1120> ±0.5° für 4H-N
Micropipe-Dichte cm2 ≤1 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤50
Widerstandskraft 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm
6H-N 0.02~0.1 Ω•cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Primärebene und Länge {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 Millimeter
Flache zweitenslänge 18.0mm±2.0 Millimeter
Flache zweitensorientierung Silikon nach oben: 90° CW. von flachem Haupt±5.0°
Randausschluß 3 Millimeter
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤25μm/≤40μm
Rauheit Polnisches Ra≤1 Nanometer, CMP Ra≤0.5 Nanometer
Sprünge durch Licht der hohen Intensität Kein 1 gewährt, ≤2 Millimeter Kumulatives Länge ≤ 10mm, einzelnes length≤2mm
Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität Kumulativer Bereich ≤1% Kumulativer Bereich ≤1% Kumulativer Bereich ≤3%
Polytype-Bereiche durch Licht der hohen Intensität Kein Kumulativer Bereich ≤2% Kumulativer Bereich ≤5%
Kratzer durch Licht der hohen Intensität 3 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer
Randchip Kein 3 gewährt, ≤0.5 Millimeter jeder 5 gewährt, ≤1 Millimeter jeder
Verschmutzung durch Licht der hohen Intensität Kein

Sic Oblate u. Barren 2-6inch und andere kundengebundene Größe   kann auch zur Verfügung gestellt werden.

 

Anzeige des Details 3.Products

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Lieferung u. Paket

kundengebundene Silikonkarbidkristallsic Oblaten der Stärke 4inch 4H-N 3

FAQ

Q1. Ist Ihre Firma eine Fabrik oder eine Geschäftsfirma?

 

Wir sind die Fabrik und wir können Export auch tun.

 

Q2.Is Sie Firmeneinzige Arbeit mit sic Geschäft?

ja; jedoch wachsen wir das sic Kristall nicht durch Selbst.

 

 

Q3. Konnten Sie Probe liefern?

Ja können wir Saphirprobe entsprechend der Anforderung des Kunden liefern.

 

Q4. Haben Sie irgendeinen Vorrat an sic Oblaten?

wir halten normalerweise einige Oblaten der Standardgröße sic von den Oblaten 2-6inch auf Lager.

 

Q5.Where wird Ihre Firma lokalisiert?

 

Unsere Firma gelegen in Shanghai, China.

 

 

Q6. Wie lang nimmt, um die Produkte zu erhalten?

Im Allgemeinen dauert es 3~4 Wochen, um zu verarbeiten. Es ist, von der Quantität und von der Größe der Produkte abzuhängen.

 

Kontaktdaten
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Wang

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