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blinder hoher Reinheitsgrad 4h-semi des Produktion Forschungs-Grad-Silikon-Karbids UNO-lackierte transparente sic Oblate

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blinder hoher Reinheitsgrad 4h-semi des Produktion Forschungs-Grad-Silikon-Karbids UNO-lackierte transparente sic Oblate

dummy production Research Grade Silicon Carbide  high purity 4h-semi un-doped transparent sic Wafer
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Großes Bild :  blinder hoher Reinheitsgrad 4h-semi des Produktion Forschungs-Grad-Silikon-Karbids UNO-lackierte transparente sic Oblate

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: 4inch--halb hoher Reinheitsgrad

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1pcs
Preis: by required
Verpackung Informationen: Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten einzelnen Oblatenbehältern
Lieferzeit: 15 Tage
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100pcs/months
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: sic Kristall Industrie: Halbleiterwafer
Anwendung: Halbleiter, geführt, Gerät, Leistungselektronik, 5G Farbe: blau, grün, weiß
Art: 4H, 6H, LACKIERTE, kein lackierter, hoher Reinheitsgrad
Markieren:

silicon carbide substrate

,

sic substrate

Silikon-Karbid Substrateshigh-Reinheit 4inch des hohen Reinheitsgrad-4H Halb-isolierende Substrate sic, Karbidsubstrate des Silikon-4inch für Substrate des Halbleiters 4inch sic, Silikon-Karbidsubstrate für semconductor, sic einzelne Kristallscheiben, sic Barren für Edelstein

 

Über sic Kristall

Silikonkarbid (sic), alias Karborundum /k ɑːrbəˈrʌndəm/, ist ein Halbleiter, der sic Silikon und Kohlenstoff mit chemischer Formel enthält. Sie tritt in der Natur als das extrem seltene Mineral-moissanite auf. Synthetisches Silikonkarbidpulver ist seit 1893 für Gebrauch als Scheuermittel in Serienfertigung hergestellt worden. Körner des Silikonkarbids können zusammen verpfändet werden, indem man, zum der sehr harten Keramik zu bilden sintert, die in den Anwendungen weit verbreitet sind, die hohe Ausdauer, wie Autobremsen, Autokupplungen und keramische Platten in den kugelsicheren Westen erfordern. Elektronische Anwendungen des Silikonkarbids wie Leuchtdioden (LEDs) und Detektoren in den frühen Radios wurden zuerst gegen 1907 demonstriert. Sic wird in den Halbleiterelektronikgeräten, die bei hohen Temperaturen oder hohe Spannungen funktionieren, oder in beiden verwendet. Große einzelne Kristalle des Silikonkarbids können durch die Lely-Methode gewachsen werden; sie können in die Edelsteine geschnitten werden, die als synthetisches moissanite bekannt sind. Silikonkarbid mit hoher Fläche kann aus SiO2 produziert werden, das im pflanzlichen Material enthalten wird.

 

Anwendungen von sic Kristallsubstraten und von Oblaten

Silikonkarbid (sic) crytsals haben einzigartige körperliche und elektronische Eigenschaften. Basierte Geräte des Silikon-Karbids sind für kurzwelliges optoelektronisches, hohe Temperatur, strahlungsresistente applciations benutzt worden. Die starken und Hochfrequenzelektronischen geräte, die mit sic hergestellt werden, sind Si und GaAs basierten Geräten überlegen. Sind unten einige populäre Anwendungen von sic Substraten.

 

III-V Nitrid-Absetzung

Epitaxial- Schichten GaN, AlxGa1-xN und InyGa1-yN auf sic Substrat oder Saphirsubstrat.

Gallium-Nitrid-Epitaxie auf sic Schablonen werden verwendet, um blaue lichtemittierende Dioden (blaue LED) und und fast blinde UVsolarphotodetektoren zu fabrizieren

 

Optoelektronische Geräte

Sic basierte Geräte haben niedrige Gitterfehlanpassung mit Epitaxial- Schichten des III-Nitrids. Sie haben hohe Wärmeleitfähigkeit und können für die Überwachung von Verbrennungsprozessen und für allerlei UV-Entdeckung verwendet werden.

SIC-ansässige Halbleiterbauelemente können unter sehr feindlicher Umwelt, wie hoher Temperatur, hoher Leistung und hohen Strahlungszuständen arbeiten.

 

Geräte der hohen Leistung

Hat sic die folgenden Eigenschaften:

Breite Energie-Bandlücke

Hohes elektrisches Zusammenbruchfeld

Hohe SättigungsDriftgeschwindigkeit

Hohe Wärmeleitfähigkeit

Sic wird für die Herstellung von sehr Hochspannungs- und starken Geräten wie Dioden, Energie transitors und Mikrowellengeräten der hohen Leistung verwendet. Verglichen mit herkömmlichen Si-Geräten, haben SIC-ansässige Starkstromgeräte höhere Spannungen der schnelleren Schaltverzögerung, die niedrigeren parasitären Widerstände, kleiner, weniger abkühlendes erforderliches wegen der Hochtemperaturfähigkeit.

Hat sic höhere Wärmeleitfähigkeit als GaAs- oder Sibedeutung, die sic Geräte an den höheren Energiedichten als entweder GaAs oder Si theoretisch laufen lassen können. Die höhere Wärmeleitfähigkeit, die mit großer Bandlücke kombiniert werden und das hohe Entscheidungsfeld geben sic Halbleitern einen Vorteil, wenn hohe Leistung eine wünschenswerte Gerätschlüsseleigenschaft ist.

Z.Z. ist Silikonkarbid (sic) für hohe Leistung MMICapplications weit verbreitet. Sic wird auch als Substrat für Epitaxie von GaN für sogar Geräte der höheren Energie MMIC verwendet

 

Geräte der hohen Temperatur

Weil sic eine hohe Wärmeleitfähigkeit hat, zerstreut sic Hitze schnell als andere Halbleitermaterialien. Dieses ermöglicht sic Geräten, auf Niveaus der hohen Leistung extrem betrieben zu werden und zerstreut noch die großen Mengen der überschüssigen Hitze erzeugt von den Geräten.

 

Hochfrequenzstarkstromgeräte

SIC-ansässige Mikrowellenelektronik werden für drahtlose Kommunikationen und Rad verwendet

 

2. Substratgröße

4 Zoll Durchmesser 4H-semi Silikon-Karbid-Substrat-Spezifikationen

SUBSTRAT-EIGENTUM

Produktions-Grad

Forschungs-Grad

Blinder Grad

Durchmesser

100,0 Millimeter +0.0/-0.5Millimeter

Oberflächenorientierung

{0001} ±0.2°

Flache hauptsächlichorientierung

<11->20> ± 5,0 ̊

Flache zweitensorientierung

90,0 ̊ CW von Primär-± 5,0 ̊, Silikon nach oben

Flache hauptsächlichlänge

32,5 Millimeter ±2.0 Millimeter

Flache zweitenslänge

18,0 Millimeter ±2.0 Millimeter

Oblaten-Rand

Abschrägung

Micropipe-Dichte

cm2 ≤5 micropipes/

≤10micropipes/cm2

cm2 ≤50 micropipes/

Polytype-Bereiche durch Intensitätslicht

Keine ermöglichten

≤10%Bereich

Widerstandskraft

≥1E7 Ω·cm

(Bereich 75%) ≥1E7 Ω·cm

Stärke

350,0 μm ± 25,0 μm oder 500,0 μm ± 25,0 μm

TTV

10μm

15μm

Bogen (absoluter Wert)

25μm

30μm

Verzerrung

45 μm

Oberflächenende

Doppeltes Seiten-Polnisches, Si-Gesicht CMP (Chemikalienpolieren)

Oberflächenrauigkeit

Cmp-Si-Gesicht Ra≤0.5 Nanometer

N/A

Sprünge durch Intensitätslicht

Keine ermöglichten

Randchips/-einzüge durch verbreitete Beleuchtung

Keine ermöglichten

Qty.2<> 1,0-Millimeter-Breite und -tiefe

Qty.2<> 1,0-Millimeter-Breite und -tiefe

Verwendbarer totalbereich

≥90%

≥80%

N/A

 

Andere Größe 

3 Zoll Durchmesser 4H Silikon-Karbid-Substrat-Spezifikationen

SUBSTRAT-EIGENTUM

Produktions-Grad

Forschungs-Grad

Blinder Grad

Durchmesser

76,2 Millimeter ±0.38 Millimeter

Oberflächenorientierung

{0001} ±0.2°

Flache hauptsächlichorientierung

<11->20> ± 5,0 ̊

Flache zweitensorientierung

90,0 ̊ CW von Primär-± 5,0 ̊, Silikon nach oben

Flache hauptsächlichlänge

22,0 Millimeter ±2.0 Millimeter

Flache zweitenslänge

11,0 Millimeter ±1.5mm

Oblaten-Rand

Abschrägung

Micropipe-Dichte

cm2 ≤5 micropipes/

≤10micropipes/cm2

cm2 ≤50 micropipes/

Polytype-Bereiche durch Intensitätslicht

Keine ermöglichten

≤10%Bereich

Widerstandskraft

≥1E7 Ω·cm

(Bereich 75%) ≥1E7 Ω·cm

Stärke

350,0 μm ± 25,0 μm oder 500,0 μm ± 25,0 μm

TTV

μm ≤10

μm ≤15

Bogen (absoluter Wert)

μm ≤15

μm ≤25

Verzerrung

μm ≤35

Oberflächenende

Doppeltes Seiten-Polnisches, Si-Gesicht CMP (Chemikalienpolieren)

Oberflächenrauigkeit

Cmp-Si-Gesicht Ra≤0.5 Nanometer

N/A

Sprünge durch Intensitätslicht

Keine ermöglichten

Randchips/-einzüge durch verbreitete Beleuchtung

Keine ermöglichten

Qty.2<> 1,0-Millimeter-Breite und -tiefe

Qty.2<> 1,0-Millimeter-Breite und -tiefe

Verwendbarer totalbereich

>90%

>80%

N/A

*The andere Spezifikationen kann entsprechend den Anforderungen des Kunden besonders angefertigt werden

 

2 Zoll Durchmesser 4H Silikon-Karbid-Substrat-Spezifikationen

SUBSTRAT-EIGENTUM

Produktions-Grad

Forschungs-Grad

Blinder Grad

Durchmesser

50,8 Millimeter ±0.38 Millimeter

Oberflächenorientierung

{0001} ±0.2°

Flache hauptsächlichorientierung

<11->20> ± 5,0 ̊

Flache zweitensorientierung

90,0 ̊ CW von Primär-± 5,0 ̊, Silikon nach oben

Flache hauptsächlichlänge

16,0 Millimeter ±1.65 Millimeter

Flache zweitenslänge

8,0 Millimeter ±1.65 Millimeter

Oblaten-Rand

Abschrägung

Micropipe-Dichte

cm2 ≤5 micropipes/

≤10micropipes/cm2

cm2 ≤50 micropipes/

Polytype-Bereiche durch Intensitätslicht

Keine ermöglichten

≤10%Bereich

Widerstandskraft

≥1E7 Ω·cm

(Bereich 75%) ≥1E7 Ω·cm

Stärke

350,0 μm ± 25,0 μm oder 500,0 μm ± 25,0 μm

TTV

μm ≤10

μm ≤15

Bogen (absoluter Wert)

μm ≤10

μm ≤15

Verzerrung

≤25 μm

Oberflächenende

Doppeltes Seiten-Polnisches, Si-Gesicht CMP (Chemikalienpolieren)

Oberflächenrauigkeit

Cmp-Si-Gesicht Ra≤0.5 Nanometer

N/A

Sprünge durch Intensitätslicht

Keine ermöglichten

Randchips/-einzüge durch verbreitete Beleuchtung

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Keine ermöglichten

Qty.2<> 1,0-Millimeter-Breite und -tiefe

Qty.2<> 1,0-Millimeter-Breite und -tiefe

Verwendbarer totalbereich

≥90%

≥80%

N/A

3.pictures

 

 

blinder hoher Reinheitsgrad 4h-semi des Produktion Forschungs-Grad-Silikon-Karbids UNO-lackierte transparente sic Oblate 1blinder hoher Reinheitsgrad 4h-semi des Produktion Forschungs-Grad-Silikon-Karbids UNO-lackierte transparente sic Oblate 2

 

FAQ:                                                 

Q: Was ist die Weise des Verschiffens und der Kosten?

A: (1) nehmen wir DHL, Fedex, EMS etc. an.

(2) wenn Sie Ihr eigenes Eilkonto haben, ist es groß. Wenn nicht, könnten wir Ihnen helfen, sie zu versenden.

Fracht ist in Übereinstimmung mit der tatsächlichen Regelung oder durch UHRKETTE.

Q: Wie man zahlt?

A: 100%T/T, Paypal,

 

Q: Was ist Ihr MOQ und Lieferfrist?

A: (1) für Inventar, ist das MOQ 2pcs in 10days

(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 10pcs herauf in10-20days.

 

Q: Kann ich die Produkte besonders anfertigen, die auf meinem Bedarf basieren?

A: Ja können wir das Material, die Spezifikationen und die Form, Stärke, Größe, Oberfläche besonders anfertigen.

 

Kontaktdaten
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Wang

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