Startseite ProdukteGallium-Nitrid-Oblate

Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll

Ich bin online Chat Jetzt

Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll

Semiconductor Gallium Nitride Wafer , GaN Substrate Template N - Type 2 Inch
Semiconductor Gallium Nitride Wafer , GaN Substrate Template N - Type 2 Inch Semiconductor Gallium Nitride Wafer , GaN Substrate Template N - Type 2 Inch Semiconductor Gallium Nitride Wafer , GaN Substrate Template N - Type 2 Inch

Großes Bild :  Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: GaN-2INCH 10x10mm

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 5pc
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: L / C, T / T
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: Einzelner Kristall GaN Methode: HVPE
Größe: 2inch oder 10x10mm Dicke: 430um oder besonders angefertigt
Industrie: LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor, Verpackung: singen Sie Oblate cassettle durch Vakuumverpackung
Markieren:

gan substrate

,

gan template


Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, Oblate mocvd GaN, freistehende GaN-Substrate durch kundengebundene Größe, kleine GaN-Oblate für LED, mocvd-Gallium-Nitridoblate 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN Oblate

 

 

  1. III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus)

Gallium-Nitrid ist eine Art Verbindungshalbleiter BreitGaps. Substrat des Gallium-Nitrids (GaN) ist

ein hochwertiges Einzelkristallsubstrat. Es wird mit ursprünglicher HVPE-Methode und Verfahrenstechnik der Oblate gemacht, die ursprünglich für 10+years in China entwickelt worden ist. Die Eigenschaften sind hoch kristallene, gute Einheitlichkeit und überlegene Oberflächenbeschaffenheit. GaN-Substrate werden für viele Arten Anwendungen, für weiße LED benutzt und LD (violett, blau und grün) außerdem Entwicklung ist für Anwendungen des Energie- und Hochfrequenzelektronischen geräts weitergekommen.

 

    Verbotene Abdeckung der Bandbreite (lichtemittierend und Absorption) das ultraviolette, das sichtbare Licht und das Infrarot.
GaN kann in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung und Darstellung verwendet werden,

  1. Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.
  2. Datumsspeicher
  3. Energiesparende Beleuchtung
  4. Farbenreiche fla Anzeige 
  5. Laser Projecttions
  6. Hoch- Leistungsfähigkeits-elektronische Geräte 
  7. Hochfrequenzmikrowellen-Geräte
  8. Energiereiche Entdeckung und stellen sich vor
  9. Neue Energie solor Wasserstofftechnologie 
  10. Umwelt-Entdeckung und biologische Medizin
  11. Lichtquelle terahertz Band

 
Spezifikationen:

  Freistehende GaN-Substrate (kundengebundene Größe)
Einzelteil GaN-FS-10 GaN-FS-15
Maße 10.0mm×10.5mm 14.0mm×15.0mm
Marco-Defekt-Dichte Ein Niveau 0 cm-2
B-Niveau ≤ 2 cm-2
Stärke Rang 300 300 ± 25 µm
Rang 350 350 ± 25 µm
Rang 400 400 ± 25 µm
Orientierung C-Achse (0001) ± 0.5°
TTV (Gesamtstärke-Veränderung) µm ≤15
BOGEN µm ≤20
Leitungs-Art N-artig Halb-Isolieren
Widerstandskraft (300K) < 0=""> >106 Ω·cm
Versetzungsdichte Kleiner als 5x106 cm-2
Verwendbare Fläche > 90%
Polnisch Vordere Oberfläche: Ra < 0="">
Hintere Oberfläche: Feiner Boden
Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll 0

Einzelteil GaN-FS-N-1.5
Maße ± 0.5mm Ф 25.4mm ± 0.5mm Ф 38.1mm ± 0.5mm Ф 40.0mm ± 0.5mm Ф 45.0mm
Marco-Defekt-Dichte Ein Niveau ≤ 2 cm-2
B-Niveau > 2 cm-2
Stärke 300 ± 25 µm
Orientierung C-Achse (0001) ± 0.5°
Orientierung flach (1-100) ± 0.5° (1-100) ± 0.5° (1-100) ± 0.5° (1-100) ± 0.5°
8 ± 1mm 12 ± 1mm 14 ± 1mm 14 ± 1mm
Sekundärorientierung flach (11-20) ± 3° (11-20) ± 3° (11-20) ± 3° (11-20) ± 3°
4 ± 1mm 6 ± 1mm 7 ± 1mm 7 ± 1mm
TTV (Gesamtstärke-Veränderung) µm ≤15
BOGEN µm ≤20
Leitungs-Art N-artig Halb-Isolieren
Widerstandskraft (300K) < 0=""> >106 Ω·cm
Versetzungsdichte Kleiner als 5x106 cm-2
Verwendbare Fläche > 90%
Polnisch Vordere Oberfläche: Ra < 0="">
Hintere Oberfläche: Feiner Boden
Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll 1
Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll 2

 Unsere Factroy-Unternehmens-Vision
wir versehen GaN-Substrat der hohen Qualität und Anwendungstechnologie für die Industrie mit unserer Fabrik.
Hohe Qualität GaNmaterial ist der zurückhaltene Faktor für die III-Nitridanwendung, z.B. langes Leben
und hohe Stabilität LDs, hohe Leistung und hohe Zuverlässigkeitsmikrowellengeräte, hohe Helligkeit
und hohe Leistungsfähigkeit, energiesparende LED.
 
- FAQ –
Q: Was können Sie Logistik und Kosten liefern?
(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.
(2) wenn Sie Ihre eigene Eilzahl haben, ist sie groß.
Wenn nicht, könnten wir Sie unterstützen, um zu liefern. Freight=USD25.0 (das erste Gewicht) + USD12.0/kg
 
Q: Was ist die Lieferfrist?
(1) für die Standardprodukte wie Oblate 2inch 0.33mm.
Für Inventar: die Lieferung ist 5 Arbeitstage nach Auftrag.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder 4 Arbeitswochen nach Auftrag.

Q: Wie man zahlt?
100%T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram, sichere Zahlung und Handels-Versicherung.
 
Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 5pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 5pcs-10pcs.
Es hängt von der Quantität und von den Techniken ab.
 
Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können ROHS-Berichts- und -reichweitenberichte für unsere Produkte liefern.
 
 

Kontaktdaten
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Wang

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)