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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch
  • sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch
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sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

Herkunftsort China
Markenname SICC
Zertifizierung CE
Modellnummer 4h-n
Produkt-Details
Materialien:
SIC Kristall
Art:
4h-n
Reinheit:
99,9995%
Widerstandskraft:
0.015~0.028ohm.cm
Größe:
2-8inch 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch
Stärke:
350um oder besonders angefertigt
MPD:
《2cm-2
Anwendung:
für SBD MOS Device
TTV:
《15um
Bogen:
《25um
Verzerrung:
《45um
Oberfläche:
Si-Gesicht CMP, Cgesicht Parlamentarier
Markieren: 

Art sic Substrate 4H N

,

Von Substraten halb sic isolieren

,

Karbid-Oblaten des Silikon-2inch

Produkt-Beschreibung

 

Karbid-Oblatenart 6H oder 4H-N des Silikon-2inch oder von Substraten sic Halb-isolieren

4 H-N Type/Silikon-Karbid-Oblaten von der Substrat-2inch 3inch 6inch halb sic isolieren

 

Was eine sic Oblate ist

Eine sic Oblate ist ein Halbleitermaterial, das ausgezeichnete elektrische und thermische Eigenschaften hat. Es ist ein leistungsstarker Halbleiter, der für eine große Vielfalt von Anwendungen ideal ist. Zusätzlich zu seinem hohen thermischen Widerstand kennzeichnet es auch eine hohe Stufe von Härte.

 

Klassifikation

  Substrate des Silikonkarbids sic können in zwei Kategorien unterteilt werden: halb-Isolier Karbidsubstrate des Silikons (UNO-dopend des hohen Reinheitsgrades und V-lackiertes 4H-SEMI) mit hoher Widerstandskraft (resistorivity ≥107Ω·cm) und leitfähige Silikonkarbidsubstrate mit niedriger Widerstandskraft (die Widerstandskraftstrecke ist 15-30mΩ·cm).

 

Spezifikation für Oblaten 6inch 4H-N sic.
(2inch, 3inch 4inch, sic Oblate 8inch ist auch verfügbar)

Grad

Nullmpd-Produktion

Grad (z-Grad)

Standardproduktions-Grad (p-Grad)

Blinder Grad

(D-Grad)

Durchmesser 99,5 mm~100.0 Millimeter
Stärke 4H-N 350 μm±20 μm 350 μm±25 μm
4H-SI 500 μm±20 μm 500 μm±25 μm
Oblaten-Orientierung Weg von der Achse: 4.0°toward <1120> ±0.5°for 4H-N, auf Achse: <0001> ±0.5°for 4H-SI
Micropipe-Dichte 4H-N ≤0.5cm-2 cm2 ≤2 cm2 ≤15
4H-SI ≤1cm-2 cm2 ≤5 cm2 ≤15
※ Widerstandskraft 4H-N 0.015~0.025 Ω·cm 0.015~0.028 Ω·cm
4H-SI ≥1E9 Ω·cm ≥1E5 Ω·cm
Flache hauptsächlichorientierung {10-10} ±5.0°
Flache hauptsächlichlänge 32,5 mm±2.0 Millimeter
Flache zweitenslänge 18,0 mm±2.0 Millimeter
Flache zweitensorientierung Silikon nach oben: 90°CW. von flachem Haupt±5.0°
Rand-Ausschluss 3 Millimeter
LTV/TTV/Bow /Warp ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm

※ Rauheit

Polnisches Ra≤1 Nanometer
CMP Ra≤0.2 Nanometer Ra≤0.5 Nanometer

Rand-Sprünge durch hohe Intensitäts-Licht

 

Kein Kumulatives Länge ≤ 10 Millimeter, einzelnes length≤2 Millimeter
Hexen-Platten durch hohe Intensitäts-Licht Kumulativer Bereich ≤0.05% Kumulativer Bereich ≤0.1%
Polytype-Bereiche durch hohe Intensitäts-Licht Kein Kumulatives area≤3%
Sichtkohlenstoff-Einbeziehungen Kumulativer Bereich ≤0.05% Kumulativer Bereich ≤3%

Silikon-Oberflächen-Kratzer durch hohe Intensitäts-Licht

Kein Kumulativ len ‚gth≤1×wafer-Durchmesser
Rand Chips High By Intensity Light Keine ermöglichten Breite und Tiefe ≥0.2 Millimeter 5 gewährt, ≤1 Millimeter jeder

Silikon-Oberflächenverschmutzung durch hohe Intensität

Kein
Verpacken Multi-Oblate Kassette oder einzelner Oblaten-Behälter

 

 

sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch 0sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch 1

 

 

 

 

 

Industrielle Kette

Die industrielle Kette des Silikonkarbids sic wird in materielle Vorbereitung des Substrates, Wachstum der Epitaxial- Schicht, Gerätherstellung und abwärts gerichtete Anwendungen unterteilt. Silikonkarbidmonokristalle werden normalerweise durch körperliches Dampfgetriebe (PVT-Methode) vorbereitet, und dann werden Epitaxial- Blätter durch chemisches Bedampfen (CVD-Methode) auf dem Substrat erzeugt, und die relevanten Geräte werden schließlich hergestellt. In der industriellen Kette von sic Geräten, wegen der Schwierigkeit der Substratfertigungstechnik, wird der Wert der industriellen Kette hauptsächlich in der aufwärts gerichteten Substratverbindung konzentriert.

 

ZMSH-Firma stellt zur Verfügung stellt 100mm und 150mm sic Oblaten zur Verfügung. Mit seiner Härte (ist sic das zweite härteste Material in der Welt) und Stabilität unter Hitze und Hochspannungsstrom, ist dieses Material in einigen Industrien weitverbreitet.

 

Preis

ZMSH-Firma bietet den besten Preis auf dem Markt für Wafers der hohen Qualität sic und sic Kristallsubstrate bis sechs (6) Zoll Durchmesser an. Unsere zusammenpassenden Politikgarantien des Preises Sie der beste Preis für die sic Kristallprodukte mit vergleichbaren Spezifikationen. KONTAKT US heute, zum Ihres Zitats zu erhalten.

 

Kundenbezogenheit

Kundengebundene sic Kristallprodukte können gemacht werden, um die bestimmten Anforderungen und die Spezifikationen des Kunden zu treffen.

Epi-Oblaten können auf Anfrage nach Maß auch sein.

 

 

FAQ

 

Q: Was ist die Weise des Verschiffen- und Kosten- und Lohnausdruckes?

: (1) nehmen wir 50% T/T im Voraus an und ließen 50% vor Lieferung durch DHL, Fedex, EMS etc.

(2) wenn Sie Ihr eigenes Eilkonto haben, ist es groß. Wenn nicht, könnten wir Ihnen helfen, sie zu versenden.

Fracht stimmt mit der tatsächlichen Regelung überein.

 

Q: Was ist Ihr MOQ?

: (1) für Inventar, ist das MOQ 3pcs.

(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 10pcs oben.

 

Q: Kann ich die Produkte besonders anfertigen, die auf meinem Bedarf basieren?

: Ja können wir das Material, die Spezifikationen und die Form, die Größe besonders anfertigen, die auf Ihrem Bedarf basiert.

 

Q: Was ist die Lieferfrist?

: (1) für die Standardprodukte

Für Inventar: die Lieferung ist, 5 Arbeitstage nachdem Sie den Auftrag vergeben.

Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder, 3 Wochen nachdem Sie den Auftrag vergeben.

(2) für die speziell-förmigen Produkte, ist die Lieferung 4 Arbeitswochen, nachdem Sie den Auftrag vergeben.

 

Treten Sie mit uns jederzeit in Verbindung

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Rm5-616, No.851, Dianshanhu-Allee, Qingpu-Bereich, Shanghai-Stadt, CHINA
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