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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Post: eric_wang@zmsh-materials.com Telefon: 86-1580-1942596
GaSb

GaSb

Herkunftsort China
Markenname zmkj
Modellnummer Gap-Oblate
Produkt-Details
Materialien:
Einzelner Kristall Gaps
Industrie:
Halbleitersubstrate, Gerät, optisch
Farbe:
Gelb
Durchmesser:
0.5~76.5mm
Oberfläche:
poliert/hüllte ein
Stärke:
0,1-2mm
Markieren: 

MgO-Substrat

,

Gap-Oblate

Produkt-Beschreibung

Kristalle Kristallsubstrat, Gap-Wafer des 2-6 Zoll Gallium-Phosphids (Gap)

 

 ZMKJ-Dose stellt Gap-Wafer einzelner Kristall der hohen Qualität (Galliumphosphid) zur elektronischen und optoelektronischen Industrie im Durchmesser bis 2 Zoll zur Verfügung. Kristall des Galliumphosphids (Gap) ist ein orangegelbes halbdurchscheinendes Material, das durch zwei Elemente, Gallium und Phosphid, Wachstum durch Flüssigkeit eingekapselte Methode Czochralski (LEC) gebildet wird. Gap-Wafer ist ein wichtiges Halbleitermaterial, die einzigartige elektrische Eigenschaften da andere III-V Mittelmaterialien haben und weit verbreitet als rote, gelbe und grüne LED (Leuchtdioden) sind. Wir haben wie-geschnittenen einzelner Kristall Gap-Wafer für Ihre LPE-Anwendung und stellen auch epi bereiten Grad Gap-Wafer für Ihre Epitaxial- Anwendung MOCVD u. MBE zur Verfügung. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.

 

Elektrische und Dopings-Spezifikation

 

Produkt-Name: Kristallsubstrat des Galliumphosphids (Gap)

Technische Parameter:

 

 

 

 
Kristallstruktur Kubik a = 5,4505 Å
Wachstumsmethode Czochralski-Methode
Dichte 4,13 g/cm 3
Wartungstafel O 1480 C 1
Koeffizient der thermischen Expansion 5,3 x10 -6/O C
Dopant S-lackiertes undoped
Richtung <111> oder <100> <100> oder <111>
Art N N
Wärmeleitfähigkeit 2 | 8 x10 17/cm 3 4 | 6 x10 16/cm 3
Widerstandskraft W.cm 0,03 bis 0,3
EPD (cm -2) <3x10>5 <3x10>5
Spezifikationen:

 

Kristallographische Richtungen: <111>, <100> ± 0,5 O

Standardpoliergröße: Ø2 „* 0.35mm; Ø2“ * 0.43mm. Ø3 " x0.3mm

Anmerkung: entsprechend Kundenanforderungen mit speziellen Maßen und Orientierungssubstraten
StandardPacking saubere Tasche 1000 Reinraum, 100 oder einzelnes Kastenverpacken

 

Dopant verfügbar S / Zn/Cr/Undoped
Art der Leitfähigkeit N / P, Halbleiter-/Halb-isolierend
Konzentration 1E17 - 2E18 cm-3
Mobilität > 100 cm2/v.s.

Produktbeschreibung

Wachstum LEC
Durchmesser Ø 2"
Stärke 400 um
Orientierung <100> / <111> / <110> oder andere
Weg von der Orientierung Weg von 2° zu 10°
Oberfläche Eine Seite poliert oder zwei Seiten poliert
Flache Wahlen EJ oder HALB. Std.
TTV <>
EPD <>
Grad Epi polierte Grad/mechanischen Grad
Paket Einzelner Oblatenbehälter

 

Beispielbilder

GaSb 0

 

FAQ:

Q: Was ist die Lieferfrist?

A: (1) für die Standardprodukte

Für Inventar: die Lieferung ist, 5 Arbeitstage nachdem Sie den Auftrag vergeben.

Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder, 3 Wochen nachdem Sie den Auftrag vergeben.

(2) für die speziell-förmigen Produkte, ist die Lieferung 4 Arbeitswochen, nachdem Sie den Auftrag vergeben.

 

Q: Was ist Ihr MOQ?

A: (1) für Inventar, ist das MOQ 3pcs.

(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 10-20pcs oben.

 

wir können anderen Materialhalbleiterwafer wie wie unten auch zur Verfügung stellen

GaSb 1

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