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Silikon-Karbid-Oblate

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Silikon-Karbid-Oblate

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China 3inch 4inch  4h-n 4h-semi  dummy test grade silicon carbide sic wafers usine

3inch 4inch 4h-n 4h-semi dummy test grade silicon carbide sic wafers

4inch dia100m 4H-N type Production grade DUMMY grade SiC substrates,Silicon Carbide substrates for semiconductor device, customized thickness 4inch 4H-N silicon carbide crystal sic wafers for 4inch seed crystal ... Lesen Sie weiter
2020-09-26 21:38:27
China kundengebundene Silikonkarbidkristallsic Oblaten der Stärke 4inch 4H-N usine

kundengebundene Silikonkarbidkristallsic Oblaten der Stärke 4inch 4H-N

Art BLINDE des Grades des Produktionsgrades Substrate sic, Silikon-Karbidsubstrate 4inch dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement, kundengebundene Silikonkarbidkristallsic Oblaten der Stärke 4inch 4H-N für 4inch ... Lesen Sie weiter
2020-09-26 21:38:06
China High purity un-doped 4inch 4H-Semi silicon carbide sic wafers for optical usine

High purity un-doped 4inch 4H-Semi silicon carbide sic wafers for optical

High purity un-doped 4inch 4H-Semi silicon carbide sic wafers for optical lens or device Silicon Carbide SiC crystal substrate wafer carborundum SILICON CARBIDE MATERIAL PROPERTIES Product Name: Silicon carbide ... Lesen Sie weiter
2020-09-26 21:37:49
China Des Silikonkarbids des hohen Reinheitsgrades UNO-lackierte 4inch 4H-Semi optische Blocklinse sic usine

Des Silikonkarbids des hohen Reinheitsgrades UNO-lackierte 4inch 4H-Semi optische Blocklinse sic

Des Silikonkarbids des hohen Reinheitsgrades UNO-lackierte 4inch 4H-Semi Oblaten sic für optische Linse oder Gerät SUBSTRAToblatenkarborundum des Silikon-Karbids sic Kristall SILIKON-KARBID-MATERIALEIGENSCHAFTE... Lesen Sie weiter
2020-09-26 21:37:21
China Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement usine

Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement

Art BLINDE des Grades des Produktionsgrades Substrate sic, Silikon-Karbidsubstrate 4inch dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement, Verwendungsgebiete 1 Hochfrequenz- und Schottky-Dioden der elektronischen Geräte ... Lesen Sie weiter
2020-09-26 20:18:23
China blinder hoher Reinheitsgrad 4h-semi des Produktion Forschungs-Grad-Silikon-Karbids UNO-lackierte transparente sic Oblate usine

blinder hoher Reinheitsgrad 4h-semi des Produktion Forschungs-Grad-Silikon-Karbids UNO-lackierte transparente sic Oblate

Silikon-Karbid Substrateshigh-Reinheit 4inch des hohen Reinheitsgrad-4H Halb-isolierende Substrate sic, Karbidsubstrate des Silikon-4inch für Substrate des Halbleiters 4inch sic, Silikon-Karbidsubstrate für ... Lesen Sie weiter
2020-07-17 15:03:47
China 4H-N wie - schneiden Sie Stärke der Silikon-Karbid-Oblaten-0.6mm für Leistungselektronik usine

4H-N wie - schneiden Sie Stärke der Silikon-Karbid-Oblaten-0.6mm für Leistungselektronik

6inch sic Substrate, sic Halbleitersubstrate 2inch 3inch 4inch 6inch 4h des sic Kristallblockes der barren des Barrens sic Kristallsic keine lackierte Oblate wir können zur Verfügung stellen Oblate des ... Lesen Sie weiter
2020-07-17 14:42:43
China farbloses transparentes hoher Reinheitsgrad 4H-SEMI Silikon-Karbid polierte sic Oblate usine

farbloses transparentes hoher Reinheitsgrad 4H-SEMI Silikon-Karbid polierte sic Oblate

Hardness9.4 polierte farbloses transparentes hoher Reinheitsgrad 4H-SEMI Silikon-Karbid sic Oblate für optische Anwendung der hohen Beförderung Sic Oblaten-Eigenschaft Eigentum 4H-SiC, einzelner Kristall 6H-SiC... Lesen Sie weiter
2019-10-12 12:02:38
China sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter usine

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

gebrochener Block des Silikonkarbids sic, Barren des Edelsteingrades sic, Schrott 5-15mm Stärke sic Sic Oblaten-Eigenschaft Eigentum 4H-SiC, einzelner Kristall 6H-SiC, einzelner Kristall Gitter-Parameter a=3... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
China 3 Zoll-Silikon-Karbid-Wafer, sic Substrat-ausgezeichnete vorübergehende Eigenschaften usine

3 Zoll-Silikon-Karbid-Wafer, sic Substrat-ausgezeichnete vorübergehende Eigenschaften

3inch sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrate des hohen Reinheitsgrad-4H, Substrate des hohen Reinheitsgrades 4inch sic, Karbidsubstrate des Silikon-4inch für Halbleiter, 4inch sic Substrate, Silikon-Karbidsubstra... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
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