GaN-auf-Saphir 6Inch orSapphire Substrate basierten blauen geführten Epi-Oblate HEMT

Blau GaN-AUF-Saphir 2inch 4inch 6inch führte Epioblate PSS für HEMT

Als führender Hersteller und Lieferant von epi GaN (Gallium-Nitrid) Wafers, bieten wir 2-6inch GaN auf Saphir epi Wafers für Mikrowellenelektronikanwendungen mit einer Stärke von 2 auf Zoll der C-Flächensaphir-Substrate 430um, 4 Zoll 520um, 650um an und 6 Zoll 1000-1300um, der normale Wert der GaN-Pufferschicht ist 2-4um; wir können kundengebundene Strukturen und Parameter entsprechend Kundenanforderungen auch zur Verfügung stellen.

GaN auf Sapphire Templates

GaN auf Saphirschablonen sind in den Durchmessern von 2" bis 6" verfügbar und bestehen aus einer Dünnschicht von kristallenem GaN gewachsen durch HVPE auf einem Saphirsubstrat. Epi-bereite Schablonen jetzt verfügbar

Als führender Hersteller und Lieferant von epi GaN (Gallium-Nitrid) Wafers, bieten wir 2-6inch GaN auf Saphir epi Wafers für Mikrowellenelektronikanwendungen mit einer Stärke von 2 auf Zoll der C-Flächensaphir-Substrate 430um, 4 Zoll 520um, 650um an und 6 Zoll 1000-1300um, der normale Wert der GaN-Pufferschicht ist 2-4um; wir können kundengebundene Strukturen und Parameter entsprechend Kundenanforderungen auch zur Verfügung stellen.

Hauptmerkmale (blau/grüne LED-Struktur):
gute Kristallqualität
Leistungsstarke optoelektronische Geräte

Zu mehr Information besichtigen Sie bitte unsere Website andere Seite;
schicken Sie uns E-Mail bei eric-wang@galliumnitridewafer.com

ZMSH ist ein führender Hersteller des Halbleitermaterials in China. ZMSH entwickelt moderne Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsverfahren, ausgeführte Substrate und Halbleiterbauelemente. Unsere Technologien ermöglichen höherer Leistung und preiswerterer Herstellung des Halbleiterwafers.

Sie können unseren freien Technologieservice von Untersuchung zu nach dem Service erhalten, der auf unseren Erfahrungen 10+ in der Halbleiterlinie basiert.