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| Herkunftsort | China |
| Markenname | zmsh |
| Modellnummer | HPSI |
Hardness9.4 polierte farbloses transparentes hoher Reinheitsgrad 4H-SEMI Silikon-Karbid sic Oblate für optische Anwendung der hohen Beförderung
| Eigentum | 4H-SiC, einzelner Kristall | 6H-SiC, einzelner Kristall |
| Gitter-Parameter | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Stapeln von Reihenfolge | ABCB | ABCACB |
| Mohs-Härte | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Dichte | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Expansions-Koeffizient | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Brechungs-Index @750nm |
keine = 2,61 Ne = 2,66 |
keine = 2,60 Ne = 2,65 |
| Dielektrizitätskonstante | c~9.66 | c~9.66 |
| (N-artiges, 0,02 ohm.cm) der Wärmeleitfähigkeit |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| Wärmeleitfähigkeit (Halb-Isolieren) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| Bandlücke | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Zusammenbruch-elektrisches Feld | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Sättigungs-Driftgeschwindigkeit | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Körperliche u. elektronische Eigenschaften von sic verglichen mit GaAa und Si
Breite Energie-Bandlücke (eV)
4H-SiC: 3,26 6H-SiC: 3,03 GaAs: Si 1,43: 1,12
Elektronische Geräte bildeten sich in sic können an den hohen Temperaturen extrem funktionieren, ohne unter Eigenleitungseffekten zu leiden wegen der breiten Energiebandlücke. Auch dieses Eigentum darf sic kurzwelliges Licht ausstrahlen und ermitteln, das die Herstellung von den blauen lichtemittierenden von den möglichen Dioden und fast blinden UVsolarphotodetektoren macht.
Hoher Zusammenbruch-elektrisches Feld [V/cm (für 1000 v-Operation)]
4H-SiC: 2,2 x 106* 6H-SiC: 2,4 x 106* GaAs: Si 3 x 105: 2,5 x 105
Kann einer Spannungssteigung (oder elektrischem Feld) über achtmal größer als als Si oder GaAs sic widerstehen, ohne Lawinenzusammenbruch durchzumachen. Dieses elektrische Feld des hohen Zusammenbruches ermöglicht der Herstellung von sehr Hochspannungs-, starken Geräten wie Dioden, von Energie transitors, von Energiethyristoren und -Überspannungsschutzen sowie von Mikrowellengeräten der hohen Leistung. Zusätzlich erlaubt es, dass die Geräte sehr nah zusammen gesetzt werden und hohe GerätInformationsdichte für integrierte Schaltungen zur Verfügung stellen.
Hohe Wärmeleitfähigkeit (W/cm · K @ FUNKTELEGRAFIE)
4H-SiC: 3.0-3.8 6H-SiC: 3.0-3.8 GaAs: 0,5 Si: 1,5
Ist sic ein ausgezeichneter Wärmeleiter. Hitze fließt bereitwillig sic als andere Halbleitermaterialien durch. Tatsächlich bei Zimmertemperatur hat sic eine höhere Wärmeleitfähigkeit als jedes mögliches Metall. Dieses Eigentum ermöglicht sic Geräten, auf Niveaus der hohen Leistung extrem zu funktionieren und die großen Mengen der überschüssigen Hitze noch zu zerstreuen erzeugt.
Hohe gesättigte Elektron-Driftgeschwindigkeit [cm/sec (@ e-≥ 2 x 105 V/cm)]
4H-SiC: 2,0 x 107 6H-SiC: 2,0 x 107 GaAs: Si 1,0 x 107: 1,0 x 107
Sic können Geräte an den Kurzwellen (Rf und Mikrowelle) wegen der hohen gesättigten ElektronDriftgeschwindigkeit von sic funktionieren.
Anwendungen
*III-V Nitrid-Absetzung *Optoelectronic Geräte
*High-Power Geräte * Hochtemperatur-Geräte
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2" |
3" |
4" |
6" |
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Polytype |
4H/6H |
4H |
4H |
4H |
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Durchmesser |
50.80mm±0.38mm |
76.2mm±0.38mm |
100.0mm±0.5mm |
150.0mm±0.2mm |
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FAQ:
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