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Hochleistungs-System-Saphir zerteilt optischen Kristallzylinder für Lichtleiter
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Hochleistungs-System-Saphir zerteilt optischen Kristallzylinder für Lichtleiter

Herkunftsort China
Markenname zmkj
Modellnummer cylinder-024
Produkt-Details
Werkstoffe:
99,999% Al2O3
Anwendung:
semicondutor Oblate, geführter Chip, optisches Glasfenster, elektronische Keramik, tragend
advantagement:
hohes hardness9.0, Verschleißfestigkeit,
Helle transmittanceVisible helle Beförderung VisVisible:
85%
Farbe:
Rot und Weiß
Typ:
Einzelner Kristall
Shape:
Stange und Zylinder
Oberfläche:
Poliert
Markieren: 

Saphirlager

,

Saphirrohr

Produkt-Beschreibung

optischer Zylinder des Saphirs, Al2O3 einzelnes Kristallglas, Barren des optischen Glases des Saphirs, optische Stangen des Saphirs, optischer Stock des Saphirs, einzelne Linse des Kristallglases Al2O3, Barren des optischen Glases durch Saphir, optische Stangen des Poliersaphirs

 

woher ist Saphir?

Synthetischer Saphir ist eine einzelne Kristallform des Korunds, Al2O3, aliasAlphatonerde, Tonerde,

und einzelner Kristall Al2O3. SaphiristAluminiumoxidin derreinstenFormohnediePorositätoderKristallgrenzenundmachtsietheoretischdicht. DieKombinationvonvorteilhaftenelektrischer, mechanischer, optischer, Oberflächen-, thermischerundderHaltbarkeitEigenschaftenderChemikalie, machenSaphireinbevorzugtesMaterialfürHochleistungssystem-und-komponentenentwürfe. FürverschiedeneHalbleiteranwendungenistSaphirdiebesteWahlim Vergleich zuanderensynthetischenEinzelkristallen.

Haupteigenschaften des Saphirs:

Chemische Formel Al2O3
Kristallklasse Sechseckiges System, rhomboidal Klasse 3m
Gitterkonstante, A a=4.785, c=12.991
Dichte, g/cm3 3,98
Schmelzpunkt, °K 2303
Härte Knoop (daN/mm2): Ähnlichkeit 1800 zur C-Achse, Senkrechtes 2200 zur C-Achse, Mohs: 9
Lichtwellenleiterübertragungsstrecke, µm 0.17 - 5,5
Brechungskoeffizient bei 0,532 µm n0=1.7717, N.O. =1.76355
Wasseraufnahme Null
Junger Modul, Gpa 345
Schubmodul, Gpa 145
Massenmodul, Gpa 240
Verbiegender Modul (Biegefestigkeit), Mpa 420 an 20°C, 280 an 500°C
Elastischer Koeffizient C11=496, C12=164, C13=115, C33=498, C44=148
Poisson-Verhältnis 0.25-0.30
Reibungs-Koeffizient 0,15 auf Stahl, 0,10 auf Saphir
Dehnfestigkeit, MPa 400 an 25°, 275 an 500°, 345 an 1000°
Biegefestigkeit, daN/mm2 35 bis 39
Druckfestigkeit, GPa 2,0
Elastizitätsmodul E, daN/mm2 3,6 x 104 bis 4,4 x 104
Spezifische Wärme, J (Kilogramm x K) 105 an 91°K, 761 an 291°K
Thermischer Koeffizient lineare Expansion, K-1, an323K Ähnlichkeit 6,66 x 10-6 zur optischen Achse, Senkrechtes 5 x 10-6 zur optischen Achse
Wärmeleitfähigkeit, mit (m x K) an 300K Ähnlichkeit 23,1 zur optischen Achse, Senkrechtes 25,2 zur optischen Achse
Widerstandskraft, Ohm x cm 1016 (25°), 1011 (500°), 106 (1000°)
Dielektrizitätskonstante 11,5 (103 - 109 Hz, 25°) Ähnlichkeit zur C-Achse, (103 - 109 Hz, 25°) Senkrechtes 9,3 zur C-Achse
Durchschlagsfestigkeit, V/cm 4 x 105
Verlusttangente 1 x 10-4
Löslichkeit
- im Wasser
- in HNO3, H2SO4, HCl, HF
- in den alcalis
- in den Schmelzen Metallen Magnesium, Al, Cr, Co, Ni, Na, K, Bi, Zn, Cs

unlöslich
unlöslich zu 300°C
unlöslich zu 800°C
unlöslich zu 800-1000°C
g - Strahlungsstabilität Keine Änderung im Getriebe über 2,5 Millimeter nach Aussetzung zu 107 Raden. Keine sichtbare Färbung nach Aussetzung zu 108 Rads/hr für 60 Minuten an - 195°C
Proton-Strahlungsstabilität Keine Änderung im Getriebe unterhalb 0,3 µm nach Aussetzung zu 1012 Proton/zu den cm2 Gesamtdosis
Chemikalienbeständigkeit
 
Saphir ist in hohem Grade träge und beständig gegen Angriff in der meisten Prozessumwelt einschließlich Fluorwasserstoffsäure und in den Fluorplasmaanwendungen fand allgemein bei der Halbleiterwaferverarbeitung (NF3, CF4)

 

was ist advantagement des Saphirs? 

1-Thinner und stärker als Standard- Glas-Windows
Wellenlängen 2-Transmits, die von UV bis zu Mittel-Infrarot reichen
extreme Oberflächenhärte 3-Features und Chemikalienbeständigkeit
 

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was ist Anwendungen für Saphir?

Saphirsubstrate/-oblaten: EPI-Polier-, optisch polierte, eingehüllte oder wie-geschnittene Saphirscheiben, Fenster, Substrate, freie Räume sowie Epitaxial- Strukturen „Silikon-aufsaphir“ (PAS).

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allgemeine Spezifikation für optische Linse des Saphirs 

Durchmesser 0.2-300mm oder Kundenbezogenheit
Durchmessertoleranz +/-0.1mm zu +/-0.01mm
Stärke 0.10-100mm
Dickentoleranz ± 0.1mm oder +/-0.01mm
Oberflächenbeschaffenheit (Kratzer u. Grabung) 60/40, 40/20 oder better20/10
Oberflächengenauigkeit λ/10, λ/2, λ
Klare Öffnung >85%, >90%
Parallelismus +/--3 ', +/--30“
Abgeschrägter Grad 0.1~0.3mm×45
Beschichtung AR, BBAR oder auf die Kundenanfrage (UV, KRAFT, IR)

 

Probe 3,0

 

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4.We kann Fachmann kundengebundene Dienstleistung in der Zeit erbringen und die Zusammenarbeit und Unterstützung des Gerätes der der Entwicklung neuer Produkte gewähren und Technologie.

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