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Gallium-Nitrid-Oblate
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| Herkunftsort | China |
| Markenname | zmkj |
| Modellnummer | 2inch AlN |
Schablone 2inch AlN auf Saphir oder sic Substraten, HVPE-Gallium-Nitridoblate, AlN-Substrate auf GaN
Schablone 2INCH AlN auf Saphirc$epi-oblate AlN-Auf-Saphiroblate
Die verbotene Bandbreite (lichtemittierend und Absorption) umfasst das ultraviolette, sichtbare Licht und das Infrarot.
AlN-Schablone wird für Entwicklung von HEMT-Strukturen, Resonanztunneldioden benutzt und
acoustoelectronic Geräte
Spezifikationen:
| 2" AlN-Schablonen | ||
| Einzelteil | AlN-T | |
| Maße | Ф 2" | |
| Substrat | Saphir sic GaN | |
| Stärke | 1000nm+/- 10% | |
| Orientierung | C-Achse (0001) ± 1° | |
| Leitungs-Art | Halb-Isolieren | |
| Versetzungsdichte | XRD FWHM von (0002) < 200="" arcsec=""> | |
| XRD FWHM von (10-12) < 1000="" arcsec=""> | ||
| Verwendbare Fläche | > 80% | |
| Polnisch | Standard: SSP | |
| Wahl: DSP | ||
| Paket | Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten 25pcs oder einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre. | |
: Im Allgemeinen ist es 5-10 Tage, wenn die Waren auf Lager sind. oder es ist 15-20 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind,
es ist entsprechend Quantität.
: Ja es tut uns leid für das bieten wir die Probe an, die durch UHRKETTE verantwortlich ist.
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