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4H-N As-Cut Silicon Carbide Wafer 0.5mm Thickness For Power Electronics

4 Stärke H-N As-Cut Silicon Carbide-Oblaten-0.5mm für Leistungselektronik

  • Markieren

    Silikonkarbidsubstrat

    ,

    sic Substrat

  • Industrie
    Halbleitersubstrat
  • Materialien
    sic Kristall
  • Anwendung
    5G, Gerätmaterial, MOCVD, Leistungselektronik
  • Art
    4H-N halb kein lackiert
  • Farbe
    grün, blau, weiß
  • Hardeness
    9,0 oben
  • Herkunftsort
    China
  • Markenname
    zmsh
  • Modellnummer
    6inch
  • Min Bestellmenge
    1pcs
  • Preis
    by case
  • Verpackung Informationen
    durch kundengebundenen Fall
  • Lieferzeit
    15days innen

4 Stärke H-N As-Cut Silicon Carbide-Oblaten-0.5mm für Leistungselektronik

6inch sic Substrate, sic Halbleitersubstrate 2inch 3inch 4inch 6inch 4h des sic Kristallblockes der barren des Barrens sic Kristallsic keine lackierte Oblate

 

 wir können zur Verfügung stellen Oblate des einzelnen Kristalles der hohen Qualität sic (Silikon-Karbid) zur elektronischen und optoelektronischen Industrie. Sic ist Oblate ein Halbleitermaterial der nächsten Generation, mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften und die ausgezeichneten thermischen Eigenschaften, verglichen mit Siliziumscheibe und GaAs-Oblate, sic Oblate ist für Gerätanwendung der hohen Temperatur und der hohen Leistung passender. Sic kann Oblate im Durchmesser 2 -6inch sic geliefert werden, 4H und 6H, N-artiges, der Stickstoff, der lackiert werden, und die halb-isolierende verfügbare Art. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.

 

Anwendung 1.material und advantagement

Anwendungen:

• GaN-Epitaxiegerät
• Optoelektronisches Gerät
• Hochfrequenzgerät
• Gerät der hohen Leistung
• Gerät der hohen Temperatur
• Lichtemittierende Dioden

 

• Niedrige Gitterfehlanpassung
• Hohe Wärmeleitfähigkeit
• Leistungsaufnahme der geringen Energie
• Ausgezeichnete vorübergehende Eigenschaften
• Hohe Bandlücke

 

 

SILIKON-KARBID-MATERIALEIGENSCHAFTEN
Polytype
Einzelner Kristall 4H
Einzelner Kristall 6H
Gitter-Parameter
a=3.076 Å
a=3.073 Å
c=10.053 Å
c=15.117 Å
Stapeln von Reihenfolge
ABCB
ABCACB
Bandlücke
eV 3,26
eV 3,03
Dichte
3,21 · 103 kg/m3
3,21 · 103 kg/m3
Therm. Expansions-Koeffizient
4-5×10-6/K
4-5×10-6/K
Brechungs-Index
keine = 2,719
keine = 2,707
Ne = 2,777
Ne = 2,755
Dielektrizitätskonstante
9,6
9,66
Wärmeleitfähigkeit
490 W/mK
490 W/mK
Zusammenbruch-elektrisches Feld
2 – 4 · 108 V/m
2 – 4 · 108 V/m
Sättigungs-Driftgeschwindigkeit
2,0 · 105 m/s
2,0 · 105 m/s
Elektronenbeweglichkeit
800 cm2/V·S
400 cm2/V·S
Löcherbeweglichkeit
115 cm2/V·S
90 cm2/V·S
Mohs-Härte
~9
 
2. Materielles Größe describtion
 
4 Stärke H-N As-Cut Silicon Carbide-Oblaten-0.5mm für Leistungselektronik 0
 
 
3.productes
4 Stärke H-N As-Cut Silicon Carbide-Oblaten-0.5mm für Leistungselektronik 1

 

4 Stärke H-N As-Cut Silicon Carbide-Oblaten-0.5mm für Leistungselektronik 2

FAQ:

 

Q: Was ist Ihr MOQ und Lieferfrist?

A: (1) für Inventar, ist das MOQ 3pcs. wenn 5-10pcs es in 10-30days besser ist

(2) für 6inch fertigte Produkte, das MOQ ist 10pcs oben in 30-50days besonders an

 

Q: Was ist die Weise des Verschiffens und der Kosten?

A: (1) nehmen wir DHL, Fedex, EMS etc. an.

(2) ist es fein, wenn Sie Ihr eigenes Eilkonto haben, wenn nicht, wir Ihnen helfen könnten, sie zu versenden und Fracht mit der tatsächlichen Regelung übereinstimmt.

 

Q: Wie man zahlt?

A: T/T, 100%

 

Q: Haben Sie Standardprodukte?

A: es gibt nicht 6inch unsere Standardprodukte auf Lager.

aber wie wie Stärke 2sp der Substrate 4inch 0.33mm haben Sie einiges auf Lager 

 

Thanks~~~