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Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement

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Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement

2inch 3inch Dia100m 4H-N Type Silicon Carbide Wafer Production Grade For Semiconductor Device
2inch 3inch Dia100m 4H-N Type Silicon Carbide Wafer Production Grade For Semiconductor Device 2inch 3inch Dia100m 4H-N Type Silicon Carbide Wafer Production Grade For Semiconductor Device 2inch 3inch Dia100m 4H-N Type Silicon Carbide Wafer Production Grade For Semiconductor Device

Großes Bild :  Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: 4inch--N, 4H-semi

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1pcs
Preis: by required
Verpackung Informationen: Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten einzelnen Oblatenbehältern
Lieferzeit: 10-20days
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100pcs/months
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: sic Kristall Industrie: Halbleiterwafer
Anwendung: Halbleiter, geführt, Gerät, Leistungselektronik, 5G Farbe: blau, grün, weiß
Art: 4H, 6H, LACKIERTE, kein lackierter, hoher Reinheitsgrad
Markieren:

silicon carbide substrate

,

sic substrate

Art BLINDE des Grades des Produktionsgrades Substrate sic, Silikon-Karbidsubstrate 4inch dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement,

 

Verwendungsgebiete

 

1 Hochfrequenz- und Schottky-Dioden der elektronischen Geräte der hohen Leistung,

 

    JFET, BJT, PiN, Dioden, IGBT, MOSFET

 

2 optoelektronische Geräte: hauptsächlich verwendet in GaN/im sic blauen LED-Substratmaterial (GaN/sic) LED

 

Advantagement

• Niedrige Gitterfehlanpassung
• Hohe Wärmeleitfähigkeit
• Leistungsaufnahme der geringen Energie
• Ausgezeichnete vorübergehende Eigenschaften
• Hohe Bandlücke

 

 

SUBSTRAToblatenkarborundum des Silikon-Karbids sic Kristall

SILIKON-KARBID-MATERIALEIGENSCHAFTEN

 
Produkt-Name: Kristallsubstrat des Silikonkarbids (sic)
Produkt-Beschreibung: 2-6inch
Technische Parameter:
Zellstruktur Sechseckig
Vergittern Sie konstantes ein = 3,08 Å c = 15,08 Å
Prioritäten ABCACB (6H)
Wachstumsmethode MOCVD
Richtung Entwicklungsachse oder teilweises (° 0001) 3,5
Polnisch Sioberflächenpolieren
Bandlücke eV 2,93 (indirekt)
Leitfähigkeitsart N oder seimi, hoher Reinheitsgrad
Widerstandskraft 0,076 Ohmcm
Genehmigung e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
Wärmeleitfähigkeit @ 300K 5 mit cm. K
Härte 9,2 Mohs
Spezifikationen: 6H N-artiges 4H N-artiges halb-isolierendes dia2 „x0.33mm, dia2“ x0.43mm, dia2 ' x1mmt, 10x10mm, 10x5mm einzelner Wurf oder doppelter Wurf, Ra <10a>
Standardverpacken: saubere Tasche 1000 Reinraum, 100 oder einzelnes Kastenverpacken

 

2. Substrate sortieren vom Standard

4 Zoll Durchmesser Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation

Grad Nullmpd-Grad Produktions-Grad Forschungs-Grad Blinder Grad
Durchmesser 100,0 mm±0.5 Millimeter
Stärke 350 μm±25μm (Stärke 200-500um ist auch okay)
Oblaten-Orientierung Weg von der Achse: 4.0° in Richtung zu <1120> ±0.5° für 4H-N/4H-SI auf Achse: <0001> ±0.5° für 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI
Micropipe-Dichte cm2 ≤1 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤50
Widerstandskraft 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm
6H-N 0.02~0.1 Ω•cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Primärebene und Länge {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 Millimeter
Flache zweitenslänge 18.0mm±2.0 Millimeter
Flache zweitensorientierung Silikon nach oben: 90° CW. von flachem Haupt±5.0°
Randausschluß 3 Millimeter
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤25μm/≤40μm
Rauheit Polnisches Ra≤1 Nanometer, CMP Ra≤0.5 Nanometer
Sprünge durch Licht der hohen Intensität Kein 1 gewährt, ≤2 Millimeter Kumulatives Länge ≤ 10mm, einzelnes length≤2mm
Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität Kumulativer Bereich ≤1% Kumulativer Bereich ≤1% Kumulativer Bereich ≤3%
Polytype-Bereiche durch Licht der hohen Intensität Kein Kumulativer Bereich ≤2% Kumulativer Bereich ≤5%
Kratzer durch Licht der hohen Intensität 3 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer
Randchip Kein 3 gewährt, ≤0.5 Millimeter jeder 5 gewährt, ≤1 Millimeter jeder
Verschmutzung durch Licht der hohen Intensität Kein

Sic Oblate u. Barren 2-6inch und andere kundengebundene Größe   kann auch zur Verfügung gestellt werden.

 

 

3.Pictures von Lieferung Produkten vorher

Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement 0Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement 1

Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement 2

Lieferung u. Paket

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Kontaktdaten
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Wang

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