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6inch VGF Method N Type GaAs Substrates 2 degree Off 675um SSP Wafers

Art GaAs-Substrate 6inch VGF Methoden-N 2 Grad weg von Oblaten 675um SSP

  • Markieren

    VGF-Methoden-Galliumarsenid-Substrat

    ,

    N-Art GaAs-Substrate

    ,

    Oblate 2 Grad GaAs Epi

  • Material
    Monokristall GaAs
  • Industrie
    semicondutor Oblate für ld oder geführt
  • Anwendung
    Halbleitersubstrat, führte Chip, optisches Glasfenster, Gerätsubstrate
  • Methode
    CZ
  • Größe
    2inch~6inch
  • Stärke
    0.675mm
  • Oberfläche
    cmp/geätzt
  • lackiert
    Si-lackiert
  • MOQ
    10PCS
  • Herkunftsort
    CHINA
  • Markenname
    zmsh
  • Zertifizierung
    ROHS
  • Modellnummer
    Oblate 6INCH GaAs
  • Min Bestellmenge
    10pcs
  • Preis
    by case
  • Verpackung Informationen
    HAUSTIER-Film im Reinigungsraum mit 100 Graden
  • Lieferzeit
    1-4weeks
  • Versorgungsmaterial-Fähigkeit
    500pcs/month

Art GaAs-Substrate 6inch VGF Methoden-N 2 Grad weg von Oblaten 675um SSP

Methode 2inch 3inch 4inch 6inch VGF N-artige UNO-lackierte GaAs-Substrate 2degree weg von Oblaten 675um SSP DSP GaAs
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GaAs-Oblate (Galliumarsenid) ist eine günstige Alternative zum Silikon, das in der Halbleiterindustrie entwickelt hat. Weniger Leistungsaufnahme und mehr Leistungsfähigkeit, die durch dieser GaAs-Oblaten angeboten wird, zieht die Spekulanten an, um diese Oblaten anzunehmen, dadurch sie erhöht sie die Nachfrage für GaAs-Oblate. Im Allgemeinen wird diese Oblate benutzt, um Halbleiter, lichtemittierende Dioden, Thermometer, elektronische Schaltungen und Barometer herzustellen, außer dem Finden von Anwendung in der Herstellung von niedrigschmelzenden Legierungen. Als der Halbleiter und die elektronische Schaltung fahren Industrien fort, neue Spitzen zu berühren, der GaAs-Markt dröhnt. Galliumarsenid von GaAs-Oblate hat die Energie der Erzeugung von Laserlicht vom Strom. Besonders polykristalliner und einzelner Kristall sind die bedeutende Art zwei von GaAs-Oblaten, die in der Produktion der Mikroelektronik und der Optoelektronik verwendet werden, um LD, LED und Mikrowellenstromkreise zu schaffen. Deshalb schafft die umfangreiche Strecke GaAs-Anwendungen, besonders in der Optoelektronik und in der Mikroelektronikindustrie einen Nachfragezufluß im theGaAs Oblaten-Markt. Vorher wurden die optoelektronischen Geräte hauptsächlich auf einem breiten Spektrum in den optischen Kurzstreckennachrichtenübertragungen und in den Computerperipherie benutzt. Aber jetzt, sind sie nach einigen auftauchenden Anwendungen wie LiDAR, vergrößerter Wirklichkeit und Gesichtserkennung gefragt. LEC und VGF sind zwei populäre Methoden, die die Produktion von GaAs-Oblate mit hoher Einheitlichkeit von elektrischen Eigenschaften und von ausgezeichneter Oberflächenbeschaffenheit verbessern. Elektronenbeweglichkeit, einzelne Kreuzungsbandlücke, höhere Leistungsfähigkeit, Hitze und Feuchtigkeitsbeständigkeit und überlegene Flexibilität sind die fünf eindeutigen Vorteile von GaAs, die die Annahme von GaAs-Oblaten in der Halbleiterindustrie verbessern.

Spezifikationsdetail
Art GaAs-Substrate 6inch VGF Methoden-N 2 Grad weg von Oblaten 675um SSP 0
GaAs (Galliumarsenid) für LED-Anwendungen
Einzelteil Spezifikationen Anmerkungen
Leitungs-Art SC/n-type  
Wachstums-Methode VGF  
Dopant Silikon  
Oblate Diamter 2, 3 u. 4 Zoll Barren oder wie-geschnittenes verfügbares
Crystal Orientation (100) 2°/6°/15° weg von (110) Anderes misorientation verfügbar
VON EJ oder US  
Ladungsträgerdichte (0.4~2.5) E18/cm3  
Widerstandskraft an Funktelegrafie (1.5~9) E-3 Ohm.cm  
Mobilität 1500~3000 cm2/V.sec  
Ätzung Pit Density <500>  
Laser-Markierung auf Anfrage  
Oberflächenende P/E oder P/P  
Stärke 220~350um  
Epitaxie bereit Ja  
Paket Einzelner Oblatenbehälter oder -kassette  

 

GaAs (Galliumarsenid), Halb-isolierend für Mikroelektronik-Anwendungen

 

Einzelteil
Spezifikationen
Anmerkungen
Leitungs-Art
Isolieren
 
Wachstums-Methode
VGF
 
Dopant
Undoped
 
Oblate Diamter
2, 3, 4 u. 6 Zoll
Barren verfügbar
Crystal Orientation
(100) +/- 0.5°
 
VON
EJ, US oder Kerbe
 
Ladungsträgerdichte
n/a
 
Widerstandskraft an Funktelegrafie
>1E7 Ohm.cm
 
Mobilität
>5000 cm2/V.sec
 
Ätzung Pit Density
<8000>
 
Laser-Markierung
auf Anfrage
 
Oberflächenende
P/P
 
Stärke
350~675um
 
Epitaxie bereit
Ja
 
Paket
Einzelner Oblatenbehälter oder -kassette
 
Nein. Einzelteil Standardspezifikation
1 Größe   2" 3" 4" 6"
2 Durchmesser Millimeter 50.8±0.2 76.2±0.2 100±0.2 150±0.5
3 Wachstums-Methode   VGF
4 Lackiert   UNO-lackiert oder Si-lackiert oder Zn-lackiert
5 Leiter Type   N/A oder SC/N oder SC/P
6 Stärke μm (220-350) ±20 oder (350-675) ±25
7 Crystal Orientation   <100>±0.5 oder 2 weg
OF-/IForientierungs-Wahl   EJ, US oder Kerbe
Orientierungs-Ebene (VON) Millimeter 16±1 22±1 32±1 -
Identifizierungs-Ebene (WENN) Millimeter 8±1 11±1 18±1 -
8 Widerstandskraft (Nicht für
Mechanisch
Grad)
Ω.cm (1-30) ‚107 oder (0.8-9) ‚10-3 oder 1' 10-2-10-3
Mobilität cm2/v.s ≥ 5.000 oder 1,500-3,000
Ladungsträgerdichte cm-3 (0.3-1.0) x1018 oder (0.4-4.0) x1018,
oder als HALB
9 TTV μm ≤10
Bogen μm ≤10
Verzerrung μm ≤10
EPD cm2 ≤ 8.000 oder ≤ 5.000
Front/hintere Oberfläche   P/E, P/P
Rand-Profil   Als HALB
Partikel-Zählung   <50>0,3 μm, Zählung/Oblate),
oder ALS HALB
10 Laser-Kennzeichen   Rückseite oder auf Anfrage
11 Verpacken   Einzelner Oblatenbehälter oder -kassette

Art GaAs-Substrate 6inch VGF Methoden-N 2 Grad weg von Oblaten 675um SSP 1Art GaAs-Substrate 6inch VGF Methoden-N 2 Grad weg von Oblaten 675um SSP 2Art GaAs-Substrate 6inch VGF Methoden-N 2 Grad weg von Oblaten 675um SSP 3


ÜBER UNSER ZMKJ

ZMKJ findet in der Stadt von Shanghai, das die beste Stadt von China ist, und unsere Fabrik wird gegründet
in Wuxi-Stadt im Jahre 2014. Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, Substrate zu verarbeiten
und custiomized optisches Glas-parts.components, das in der Elektronik, Optik weitverbreitet ist,
Optoelektronik und viele anderen Felder. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet
und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, liefern kundengebundene Produkte
und Services für ihre R&D-Projekte.
Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unser
gute reputatiaons. so können wir einige andere Materialsubstrate als Gleiches auch zur Verfügung stellen:
Art GaAs-Substrate 6inch VGF Methoden-N 2 Grad weg von Oblaten 675um SSP 4
Verpacken – Logistcs
Worldhawk-Interessen führt je vom Paket, die Reinigung einzeln auf, antistatisch, Schocktherapie.
Entsprechend der Quantität und der Form des Produktes, nehmen wir einen anderen Verpackenprozeß!
Art GaAs-Substrate 6inch VGF Methoden-N 2 Grad weg von Oblaten 675um SSP 5
FAQ –
Q: Was können Sie Logistik und Kosten liefern?
(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und durch UHRKETTE an
 und Lohnzustand von 50% Ablagerung, 50% vor Lieferung.
 
Q: Was ist die Lieferfrist?
Für Inventar: die Lieferung ist 5 Arbeitstage nach Auftrag.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder 3 Arbeitswochen nach Auftrag.
 

Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 5pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 10pcs-30pcs.
Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können Detailbericht für unsere Produkte liefern.