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4" Gallium-Nitrid-Oblate

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4" Gallium-Nitrid-Oblate

4" Gallium Nitride Wafer
4" Gallium Nitride Wafer 4" Gallium Nitride Wafer 4" Gallium Nitride Wafer

Großes Bild :  4" Gallium-Nitrid-Oblate

Produktdetails:

Herkunftsort: CHINA
Markenname: zmkj
Modellnummer: 2-4inch GaN Schablone

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 2pc
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 2-4weeks
Zahlungsbedingungen: L/C, T/T
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: Schicht auf Saphiroblate Methode: HVPE
Größe: 2inch, 4inch Stärke: 430+15um oder 650um
Industrie: LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor, Oberfläche: doppelte oder einfache Seite poliert
Markieren:

4" Gallium Nitride Wafer

,

HVPE Gallium Nitride Wafer

,

650um Gallium Nitride Wafer

 

UVC Substrate LED EPI überlagern Nitrid AlN-Schablonenoblate des Gallium-2inch, 4inch auf Saphir oder sic Substrate,

HVPE-Gallium-Nitridoblate, AlN-Schablonen

 
  1. III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus)

Die verbotene Bandbreite (lichtemittierend und Absorption) umfasst das ultraviolette, sichtbare Licht und das Infrarot.

 
Produkt Film des Aluminium-Nitrids (AlN)
Produkt-Beschreibung: AllN Epitxial schlug vorbildliche Methode der saphhire Hydrid-Dampfphasen-Epitaxie (HVPE) vor. Aluminium-Nitrid-Film ist auch kosteneffektive Weise, das Aluminium-Nitrid-einzelne Kristallsubstrat zu ersetzen. Niederlassungs-Kristall begrüßen herzlichst Ihre Untersuchung!
Technische Parameter:
Größe 50mm ± 2mm
Saphirsubstratorientierung Cachse (0001) ± 1.0deg
Makrodefektdichte <5cm-2>
Nutzflächebereich 90%
Oberflächenbehandlung vorher Wie Epi-bereit gewachsen
Behälter Einzelner Chip

 

Spezifikationen:

10x10x0.5mm, 10x10x1mm, dia2 „x1mm;

Kann entsprechend spezieller Orientierung und Größe der Kundennachfrage besonders angefertigt werden.

Standardverpacken: saubere Tasche 1000 Reinraum, 100 oder einzelnes Kastenverpacken
 


Spezifikationen:

  4" AlN-Schablonen Größe 2-4inch auch okay
Einzelteil AlN-T
Maße Ф 100±0.3mm
Substrat Saphir sic GaN
Stärke 1000nm+/- 10% (AlN-Stärke)
Orientierung C-Achse (0001) ± 1°
Leitungs-Art Halb-Isolieren
Versetzungsdichte XRD FWHM von (0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHM von (10-12) < 1000="" arcsec="">
Verwendbare Fläche > 80%
Polnisch Standard: SSP
Wahl: DSP
Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten 25pcs oder einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre. oder einzelne Kassetten.

Andere Größe aslike 5x5mm, 10x10mm, 2inch, 3inch kann auch besonders angefertigt werden.

 

 

4" Gallium-Nitrid-Oblate 0

Anwendung:

4" Gallium-Nitrid-Oblate 1

4" Gallium-Nitrid-Oblate 2

4" Gallium-Nitrid-Oblate 3

4" Gallium-Nitrid-Oblate 4

 

Über unser Team

    ZMKJ findet in der Stadt von Shanghai, das die beste Stadt von China ist,

und unsere Fabrik wird in Wuxi-Stadt im Jahre 2014, aber im Halbleitermaterial gegründet,

haben Sie die gute Erfahrung für fast 10years.
Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu custiomized optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung.
Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten reputatiaons.


4" Gallium-Nitrid-Oblate 5

 

Kontaktdaten
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Wang

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